内建启动晶体管的功率晶体管芯片及其应用电路 .pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101783344A

(43)申请公布日2010.07.21

(21)申请号CN200910002712.6

(22)申请日2009.01.19

(71)申请人立锜科技股份有限公司

地址中国台湾新竹县

(72)发明人黄志丰

(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司

代理人蹇炜

(51)Int.CI

H01L27/02

H01L27/085

H01L23/522

H02M3/335

G05F1/10

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

内建启动晶体管的功率晶体管芯片

及其应用电路

(57)摘要

一种内建启动晶体管的功率晶体管

芯片及其应用电路，以结型场效应晶体管

配合金属氧化物半导体场效应晶体管来作

为交/直流电压转换电路的启动电路，以在

交/直流电压转换电路的脉宽调制电路开始

正常工作后，可以关闭启动电路的运作，

以节省功率的消耗。此外，并将结型场效

应晶体管与金属氧化物半导体场效应晶体

管内建于功率晶体管芯片中，由于结型场

效应晶体管与金属氧化物半导体场效应晶

体管均可用功率晶体管的相同工艺来制

作，故不会增加额外的掩膜与工艺，而可

简化工艺、节省成本。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种内建启动晶体管的功率晶体管芯片，适用于交/直流电压转换电路，包括：

第一接脚；

第二接脚；

第三接脚；

第四接脚；

第五接脚；

功率晶体管，用于作为所述交/直流电压转换电路的功率开关，具有第一源/漏极、

第二源/漏极与功率晶体管栅极，所述第一源/漏极耦接所述第一接脚，所述第二源/

漏极耦接所述第二接脚，所述功率晶体管栅极耦接所述第三接脚；

金属氧化物半导体场效应晶体管，具有第五源/漏极、第六源/漏极与金属氧化物半

导体场效应晶体管栅极，所述第五源/漏极耦接所述第一接脚，所述第六源/漏极耦

接所述第四接脚；以及

结型场效应晶体管，用于与所述金属氧化物半导体场效应晶体管一同作为所述交/

直流电压转换电路的启动电路，具有第三源/漏极、第四源/漏极与结型场效应晶体

管栅极，所述第三源/漏极耦接所述第一接脚，所述第四源/漏极耦接所述金属氧化

物半导体场效应晶体管栅极，所述结型场效应晶体管栅极耦接所述第五接脚。

2.如权利要求1所述的功率晶体管芯片，还包括介于所述功率晶体管栅极与所述第

三接脚间的电阻。

3.如权利要求1所述的功率晶体管芯片，其中所述功率晶体管为N型金属氧化物半

导体场效应晶体管。

4.如权利要求1所述的功率晶体管芯片，其中所述结型场效应晶体管为N型结型场

效应晶体管，所述金属氧化物半导体场效应晶体管为N型金属氧化物半导体场效

应晶体管。

5.一种交/直流电压转换电路，适用于将交流电源转换为稳定的直流电源，包括：

功率晶体管，用于作为所述交/直流电压转换电路的功率开关，具有第一源/漏极、

第二源/漏极与功率晶体管栅极；

金属氧化物半导体场效应晶体管，具有第五源/漏极、第六源/漏极与金属氧化物半

导体场效应晶体管栅极，所述第五源/漏极耦接所述第一源/漏极；

结型场效应晶体管，用于与所述金属氧化物半导体场效应晶体管一同作为所述交/

直流电压转换电路的启动电路，具有第三源/漏极、第四源/漏极与结型场效应晶体

管栅极，所述第三源/漏极耦接所述第一源/漏极，所述第四源/漏极耦接所述金属氧

化物半导体场效应晶体管栅极；

桥式整流电路，具有电源输入端与整流输出端，所述电源输入端用于接收所述交流

电源；

变压器电路，具有主线圈、次线圈与副线圈，所述主线圈的一端耦接所述整流输出

端、另一端耦接所述功率晶体管的所述第一源/漏极；

脉宽调制电路，具有启动电源控制端、工作电源端、脉宽调制信号输出端与电流检

测端，所述启动