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场效应管及其基本放大电路

3.2.3.1场效应管（FET）

1.场效应管的特色

场效应管出生于20世纪60年月，它主要拥有以下特色：①它几乎仅靠半导体中的多半载

流子导电，故又称为单级型晶体管。②场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回

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路的电流，并以此命名。③输入回路的内阻高达10-10Ω；此外还拥有噪声低、热稳

固性好、抗辐射能力强、

耗电小，体积小、重量轻、寿命长等特色，因此宽泛地应用于各样电子电路中。

场效应管分为结型和绝缘栅型两种不一样的构造，下边分别加以介绍。

2.结型场效应管

⑴结型场效应管的符号和N沟道结型场效应管的构造

结型场效应管（JFET）有N沟道和P沟道两种种类，图3-62(a)所示为它们的符号。

N沟道结型场效应管的构造如图3-62(b)所示。它在同一块N型半导体上制作两个高混杂的

P区，并将它们连结在一同，引出电极，称为栅极G；N型半导体的两头分别引出两个电极，一

个称为漏极D，一个称为源极S。P区与N区交界面形成耗尽层，漏极与源极间的非耗尽层地区

称为导电沟道。

(a)符号(b)N沟道管的构造表示图

图3-62结型场效应管的符号和构造表示图

⑵结型场效应管的工作原理

为使N沟道结型场效应管正常工作，应在其栅-源之间加负向电压（即UGS0）,以保

证耗尽层蒙受反向电压；在漏-源之间加正向电压uDS,以形成漏极电流iD。下边经过栅-源

电压uGS和漏-源电压uDS对导电沟道的影响，来说明管子的工作原理。

①当u=0V（即D、S短路）时，u对导电沟道的控制作用

DSGS

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ⅰ当uGS=0V时，耗尽层很窄，导电沟道很宽，如图3-63(a)所示。

ⅱ当uGS增大时，耗尽层加宽，沟道变窄（图(b)所示），沟道电阻增大。

ⅲ当

u

GS增大到某一数值时，耗尽层闭合，沟道消逝（图(c)所示）,沟道电阻趋于无

穷大，称此时uGS的值为夹断电压UGS(off)。

UU

(a)u=0V(b)u0V(c)uGS≤GS(off)

GSGS(off)GS

图3-63uDS=0V时uGS对导电沟道的控制作用

②当u为夹断电压U至0V中某一固定值时，u对漏极电流I的影响

GSGS(off)DSD

(a)uDS0V(b)uGD=UGS(off)(c)uGDUGS(off)

图3-64Uu0且u0的状况

GS(off)GSDS