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电子技术ElectronicTechnology
集成电路的ESD防护关键技术
文/李文学
随着集成电路的不断发展以
摘及芯片工艺的逐渐提高,对静电
要放电承受能力提出了更高的要求。
为了有效提高集成电路ESD防护
水平,避免静电放电对集成电路
造成重大损害,应该不断创新ESD
防护技术。
【关键词】集成电路ESD防护关键技术图1:LSCR剖面图
产生了不利影响。除此之外还会对集成电路电P+与阴极端口相连。通过对SCR晶闸管的结
子器件的抗静电能力以及使用可靠性造成不良构进行分析可以得出,SCR防护技术应用过
1集成电路ESD防护电路设计原则影响。程中具体包括两种电阻以及两个寄生三极管。
在进行ESD防护时,可控硅晶闸管作为两端
2.2ESD失效机理分析
在集成电路正常工作的过程中,ESD防器件连接于集成电路中,其阳极与N-well进
护电路处于关闭状态,不会发生ESD现象,在硅熔化方面,由于静电放电过程中所行连接,其阴极与P-well进行连接。然后将晶
这主要是由于ESD防护电路器件存在一定的产生的电流会产生热量,促使温度功耗快速上闸管与集成电路中双极型晶体管中的Pn进行
触发电压。在集成电路触发不当情况下会导致升,进而导致硅表面会出现融化现象。在硅表连接,便可以通过对可控硅闸管进行触发来起
发生ESD现象。ESD事件发生后应该将保护面融化过程中,会造成电路的电阻大幅降低,到有效的ESD防护功能。
器件快速打开,如果保护电路没有能够及时打通常情况下电阻可以降低30倍左右,进而促
3.2基于安全芯片的防护技术
开,很可能造成核心电路的损毁。同时在进行使更多的电流通过融化区域,导致出现第二次
ESD防护设计时,应该充分考虑防护的等级
热失控现象。同时在该过程中漏电电流会沿着为了有效避免ESD现象对于集成电路造
要求,保证集成电路的核心不能够被损毁;除熔化电路进行再分配,在漏电电流以及电压比成的重大损害,提高对集成电路ESD的防护
此之外在发生ESD情况下,应该确保所有的较高的情况下,容易对集成电路中结点晶格构水平,通常情况下会在PAD周边设置ESD防
保护器件均处于关闭状态,否则受到ESD事造损害,情况严重的甚至可以造成集成电路的护电路,这种方式虽然在一定程度上提高了
件影响,容易导致器件处于被禁止的闩锁状态,全部短路。在电荷注入情况方面,由于在静电ESD防护能力,但是并没有解决集成电路内
造成集成电路中的核心电路出现重大故障。放电的过程中会导致产生结点的反向偏置,进部电路的受损问题,所以有必要采用安全芯片
2ESD失效模式与失效机理而容易引发雪崩击穿现象,对部分载流子中的防护技术。在安全芯片防护技术中需要采用
能量进行有效补充,促使氧化层可以突破势垒PowerClamp,将防护电路划分为静态电路和
2.1ESD失效模式限制,进入到硅能量势垒中,引起硅表面阀值动态电路。通过静态防护
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