集成耗尽增强管的制备方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN109360807A

(43)申请公布日2019.02.19

(21)申请号CN201811076167.0

(22)申请日2018.09.14

(71)申请人福建省福芯电子科技有限公司

地址350001福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区5号楼22层C、D

单元

(72)发明人孙晓儒徐栋

(74)专利代理机构福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)

代理人林祥翔

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

集成耗尽增强管的制备方法

(57)摘要

一种集成耗尽增强管的制备方法，

包括如下步骤，选用N型晶向衬底，在衬

底上设置隔离区、第一增强区及第一耗尽

区，对第一增强区、第一耗尽区进行耐压

环区光刻，对耐压环区进行注入、推进和

氧化，形成隔离区内的P型掺杂扩散，在

对第一增强区、第一耗尽区进行栅极氧化

时，沉积多晶硅：再对二者的栅极进行多

晶注入，然后进行光刻、腐蚀，再进行

NSD注入，同时在多晶上形成多个PN结

从而形成耗尽区增强区的源区，最后进行

溅射光刻、钝化沉积和背面蒸发。集成耗

尽增强管的制作方法使得在增强管的制造

过程中同时集成融合耗尽管，通过集成了

抗ESD功能器件，可有效增强器件抗ESD

能力。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种集成耗尽增强管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤,

选用N型晶向衬底,在衬底上设置隔离区、第一增强区及第一耗尽区,对第一增强区、

第一耗尽区进行耐压环区光刻,对耐压环区进行注入、推进和氧化,形成隔离区内的

P型掺杂扩散,

在对第一增强区、第一耗尽区进行栅极氧化时,沉积多晶硅:再对二者的栅极进行多

晶注入,然后进行光刻、腐蚀,再进行NSD注入,同时在多晶上形成多个PN结从而形

成耗尽区增强区的源区,最后进行溅射光刻、钝化沉积和背面蒸发。

2.根据权利要求1所述的集成耗尽增强管的制备方法,其特征在于,所述衬底为锑掺

杂的外延片衬底。

3.根据权利要求1所述的集成耗尽增强管的制备方法,其特征在于,所述多晶注入的

多晶注入剂量为4E13~6E13,注入能量为20Kev-40Kev。

4.根据权利要求1所述的集成耗尽增强管的制备方法,其特征在于,所述NSD注入的

注入剂量为5E15~6E15,注入能量为120Kev-160Kev。

5.根据权利要求1所述的集成耗尽增强管的制备方法,其特征在于,所述NSD注入的

推阱温度为850摄氏度至1050摄氏度,推阱时间为20分钟至30分钟。

6.根据权利要求1所述的集成耗尽增强管的制备方法,其特征在于,所述栅极氧化前

还包括步骤,

JFET注入和JFET退火;在有源区进行JFET注入,注入剂量:1.8E12~2.2E12,注入能

量:100Kev-140Kev,注入元素磷,然后进行JFET退火,退火温度:1050°C~1250°C,退火

时间:120-150分钟;

P阱曝光,注入,推阱;进行P阱光刻,将耗尽管和增强管的原胞区的P阱打开,然后进

行P阱注入。其中,注入剂量:4E13~5E13,注入能量:100Kev-140Kev,注入元素:硼。

然后去掉光刻胶,进行P阱推阱,推阱温度:设置为1050°C~1250°C,时间设置为120-

180分钟;

VTH光刻,注入;在第一耗尽区的P阱表面注入VTH,注入剂量为4E12~6E12,注入能

量为100Kev-120Kev,注入元素砷。

7.根据权利要求1所述的集成耗尽增强管的制备方法,其特征在于,所述溅射光刻为

溅射铝,在衬底上沉积4um的铝,然后光刻腐蚀铝,形成增强耗尽管的栅区和源区。

8.根据权利要求