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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN104465526A
(43)申请公布日2015.03.25
(21)申请号CN201310422937.3
(22)申请日2013.09.16
(71)申请人上海宝芯源功率半导体有限公司
地址201203上海市浦东新区盛夏路560号219室
(72)发明人王凡
(74)专利代理机构上海光华专利事务所
代理人李仪萍
(51)Int.CI
H01L21/8249
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种BCD工艺中集成结型场效应
晶体管的方法
(57)摘要
本发明提供一种BCD工艺中集成
结型场效应晶体管的方法，包括：1）于P
型衬底中定义出沟道区区域，于所述沟道
区区域上方制作具有间隔排列的多个窗口
的第一掩膜，离子注入以于所述P型衬底
中形成具有起伏的N型区域；2）于所述N
型区域中制作出场氧化层结构；3）制作覆
盖上述结构表面且于所述沟道区区域上方
具有间隔排列的多个窗口的第二掩膜，离
子注入以于所述N型区域中制作出具有起
伏的P型区域；4）制作栅极结构；制作源
区和漏区。本发明通过对掩膜的改进设
计，获得两侧具有起伏的沟道区，增加了
沟道宽度，实现了结型场效应晶体管开启
电压的可调。本发明可以采用标准的BCD
工艺实现，不需要增加新的掩膜，工艺简
单可靠，适用于工业生产。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，其特征在于，至少包括以下步
骤：
1）提供P型衬底，并于所述P型衬底中定义出沟道区区域，于所述沟道区区域上
方制作具有间隔排列的多个窗口的第一掩膜，采用离子注入工艺
于所述P型衬底中形成对应所述沟道区区域处具有起伏的N
型区域；
2）依据所定义的沟道区区域的位置，于所述N型区域中制作出场氧化层结构；
3）制作覆盖上述结构表面且于所述沟道区区域上方具有间隔排列的多个窗口的第
二掩膜，采用离子注入工艺于所述N型区域中制作出对应所述
沟道区区域处具有起伏的P型区域；
4）于所述P型区域及N型区域表面制作出栅极结构；于所述场氧化层结构两端的
N型区域表面制作出源区和漏区。
2.根据权利要求1所述的BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，其特征在于：
步骤1）所述第一掩膜中各该窗口的形状为长条矩形，且多个窗
口平行排列，所形成的N型区域对应所述沟道区区域处呈波浪起伏。
3.根据权利要求1所述的BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，其特征在于：
步骤3）所述第二掩膜中各该窗口的形状为长条矩形，且多个窗
口平行排列，所形成的P型区域对应所述沟道区区域处呈波浪
起伏。
4.根据权利要求1所述的BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，其特征在于：
步骤2）所述场氧化层结构包括与所述P型区域一侧相接的第
一场氧化层，以及与所述P型区另一侧具有预设距离的第二场氧
化层。
5.根据权利要求4所述的BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，其特征在于：
所述第一场氧化层及第二场氧化层
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