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第一章常用半导体器件

自测题

一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型

半导体。（）

（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）

（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）

（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）

（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电

压，才能保证其R大的特点。（）

GS

（6）若耗尽型N沟道MOS管的U大于零，则其输入电阻会明显变小。

GS

（）

解：（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×

二、选择正确答案填入空内。

（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。

A.变窄B.基本不变C.变宽

（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。

IeUUUU

A.IeUB.TC.I(eT－1)

SSS

（3）稳压管的稳压区是其工作在。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿

（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A.前者反偏、后者也反偏

B.前者正偏、后者反偏

C.前者正偏、后者也正偏

（5）U＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

GS

A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管

解：（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC

三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U＝。

D

图

解：U≈，U＝0，U