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HJT关键工艺0BB即将量产，2023年下半年HJT有望放量

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前言：站在当前时间点展望2023年，我们认为0BB对于HJT的重要性一定程

度被市场忽略，其对于硅片减薄、浆料使用、浆料降本均有较大影响，在0BB

成熟后2023年HJT有望实现在电池片成本端与TOPCon打平，针对市场比较

关心的核心问题，我们做如下更新：

正文：

1、效率端：HJT在双面微晶达到25.5%后是否可以和TOPCon拉开差距？

1）双面微晶不仅可在设备端优化后达到25.5%，在工艺端优化后仍有约0.3%

左右的向上空间：市场对于双面微晶带来的效率增益可能有一定误解，误解来

自于之前更多是设备企业推动HJT行业发展，2023年PECVD设备端在上双

面微晶后HJT电池片效率可达到25.5%，但实际对于HJT而言双面微晶并不

是一步到位的优化。新技术的提效结果是同时由设备和工艺来共同实现，设备

只是工艺的载体，在设备交钥匙“工程”完毕后，对于HJT电池企业在双面微晶

的工艺端优化同样重要，即i、n、i、p层的镀膜工艺优化。根据产业链调研，

HJT应用双面微晶之后会有效率逐步爬坡的过程，2023年底效率有望达到

26%，手段主要为双面微晶，其次为TCO膜层材料的优化。

2）电池片效率并非绝对公正指标，使用组件功率来衡量更为合适：目前平均

来看，perc组件550w左右，topcon组件560-570w左右，HJT组件590w

左右；更高的组件功率来自于三方面，第一是更高电池片效率带来的更高功

率，以组件功率折合电池效率来计算，HJT平均效率可达到25%，TOPCon电

池片平均效率为24.3%左右，效率端HJT同样存在领先；第二是HJT组件端

通过转光胶膜可带来组件功率约10W左右的提升：紫外光会导致HJT组件功

率衰减，转光胶膜可将紫外光变为可见光，带来HJT组件功率约10W的提

升，而转光胶膜对TOPCon的增益不大；第三是HJT的CTM相比TOPCon

更高，perc的CTM几乎99%，TOPCon一般94%左右，HJT一般97%左

右，差异主要来自于TOPCon电池短路电流密度更高，相比HJT在焊接时封

损更大。

2、硅片成本端：硅片大幅降价后HJT相比TOPCon是否更难将成本拉平？

硅料降价后HJT单W硅片成本预计仍可比TOPCon低3-5分钱：截至1月

15号，150μm的182P型硅片价格约为3.8元，硅料价格30万/吨时，182N

型硅片比P型硅片贵5毛左右，按硅料价格10万/吨计算，150μm的182N

型硅片价格约3.95元；150μm的P型210硅片价格约5元，硅料价格30万/

吨时，210N型硅片比P型硅片贵6毛左右，按硅料价格10万/吨计算，

150μm的210N型硅片价格约5.2元。2023年按TOPCon效率25%，150μm

硅片，HJT效率25.5%，120μm硅片计算，TOPCon的单W硅片成本为0.48

元，HJT的单W硅片成本为0.43元（按每减薄10μm单W硅片成本下降

元计算），HJT单W硅片成本低5分钱，即使考虑TOPCon130μm硅

片，HJT单W成本也低3分钱。

表：2023年硅料降价后HJT、TOPCon、PERC硅片成本测算

来源：天风电新

制约HJT硅片减薄的关键工艺0BB已即将成熟，后续HJT硅片可继续减薄至

100μm。HJT之前硅片减薄面临几大瓶颈，一是减薄后自动化问题导致碎片率