场效应管和三极管的区别.pdfVIP

场效应管是场效应晶体管（FieldEffect

Transistor,FET）的简称.它属于电压掌握型半导体器

件,具有输入电阻高.噪声小.功耗低.没有二次击穿现

象.安然工作区域宽.受温度和辐射影响小等长处,特别

实用于高敏锐度和低噪声的电路,现已成为通俗晶体

管的壮大竞争者.【1】

通俗晶体管（三极管）是一种电流掌握元件,工作时,多半载流子和少数载流子都介入

运行,所以被称为双极型晶体管;而场效应管（FET）是一种电压掌握器件（转变其栅源电压

就可以转变其漏极电流）,工作时,只有一种载流子介入导电,是以它是单极型晶体管.

场效应管和三极管一样都能实现旌旗灯号的掌握和放大,但因为他们结构和工作道理截然不

合,所以二者的差别很大.在某些特别运用方面,场效应管优于三极管,是三极管无法替代的,三

极管与场效应管差别见下表.

场效应管是电压掌握元件,而三极管是电流掌握元件.在只许可从旌旗灯号源取较少

电流的情形下,应选用处效应管.而在旌旗灯号源电压较低,又许可从旌旗灯号源取较多电流

的前提下,运用三极管.

第1页，共3页

场效应管靠多子导电,管中活动的只是一种极性的载流子;三极管既用多子,又运用少

子.因为多子浓度不轻易受外因的影响,是以在情形变更较强烈的场合,采取场效应管比较适

合.

场效应管的输入电阻高,实用于高输入电阻的场合.场效应管的噪声系数小,实用于低

噪声放大器的前置级.

1．场效应管的源极s.栅极g.漏极d分离对应于三极管的发射极e.基极b.集电极c,它们的感

化类似.

2．场效应管是电压掌握电流器件,由vGS掌握iD,其放大系数gm一般较小,是以场效应管的

放大才能较差;三极管是电流掌握电流器件,由iB（或iE）掌握iC.

3．场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）;而三极督工作时基极总要汲取必定的电流.是以场效

应管的输入电阻比三极管的输入电阻高.

4．场效应管只有多子介入导电;三极管有多子和少子两种载流子介入导电,而少子浓度受温度.

辐射等身分影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳固性好.抗辐射才能强.在情形前提（温

度等）变更很大的情形下应选用处效应管.

5．场效应管在源极水与衬底连在一路时,源极和漏极可以交换运用,且特征变更不大;而三极

管的集电极与发射极交换运用时,其特征差别很大,b值将减小许多.

6．场效应管的噪声系数很小,在低噪声放大电路的输入级及请求信噪比较高的电路中要选用

处效应管.

7．场效应管和三极管均可构成各类放大电路和开路电路,但因为前者制作工艺简略,且具有耗

电少,热稳固性好,工作电源电压范围宽等长处,因而被普遍用于大范围和超大范围集成电路

中.

8.三极管导通电阻大,场效应管导通电阻小,只有几百毫欧姆,在如今的用电器件上,一般都用

处效应管做开关来用,他的效力是比较高的.

场效应管G极必须有一个对地的放电电阻,不然上电就烧,而三极管基极不须要

在只许可从旌旗灯号源取较少电流的情形下,应选用处效应管;而在旌旗灯号电压较低,又许

可从旌旗灯号源取较多电流的前提下,应选用晶体管.晶体三极管与场效应督工作道理完整不

第2页，共3页

合,但是各极可以近似对应以便于懂得和设计：晶体管：基极发射极集电极场效应管：栅

极源极漏极要留意的是,晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0.6V),场效应管

源极电位比栅极电位高（约0.4V).场效应管是运用多半载流子导电,所以称之为单极型器件,

而晶体管是即有多半载流子,也运用少数载流子导电,被称之为双极型器件.有些场效应管的

源极和漏极可以交换运用,栅压也可正可负,灵巧性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很

低电压的前提下工作,并且它的制作工艺可以很便利地把许多场效应管集成在一块硅片上,是

以场效应管在大范围集成电路中得到了普遍的运用

第3页，共3页