一种有机浮栅场效应晶体管及其制备方法 .pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102110777A

(43)申请公布日2011.06.29

(21)申请号CN201110022922.9

(22)申请日2011.01.20

(71)申请人大连交通大学

地址116028辽宁省大连市沙河口区黄河路794号

(72)发明人刘向薛钰芝林纪宁周丽梅王颖

(74)专利代理机构大连东方专利代理有限责任公司

代理人李洪福

(51)Int.CI

H01L51/05

H01L51/40

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种有机浮栅场效应晶体管及其制

备方法

(57)摘要

本发明公开了一种有机浮栅场效应

晶体管及其制备方法，其特征在于晶体管

由衬底，在衬底上面形成的绝缘层I，在绝

缘层I上面形成的浮栅，在浮栅上面形成

的绝缘层II，在绝缘层II上面形成的半导

体有源层，以及在半导体有源层上面形成

的源电极和漏电极构成。其制备方法包

括：①在硅衬底上生长了一层绝缘层I；②

用磁控溅射的方法在绝缘层I上制备低阻

硅薄膜作为浮栅；③在浮栅层上用热氧化

的方法生长一层绝缘层II；④在绝缘层II

上真空热蒸发一层有机半导体薄膜材料形

成半导体有源层；⑤在半导体有源层真空

热蒸发一层金薄膜层作为器件的电极材

料；⑥最后通过光刻电极材料得到源电极

和漏电极。该晶体管可有效地控制擦除浮

栅的信息能。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

未缴年费专利权终止IPC(主分

类):H01L51/05专利

2022-12-30号:ZL2011100229229申请专利权的终止

日权公告

日

权利要求说明书

1.一种有机浮栅场效应晶体管，其特征在于所述晶体管由衬底(1)，在衬底(1)上面

形成的绝缘层I(2)，在绝缘层I(2)上面形成的浮栅(3)，在浮栅(3)上面形成的绝缘层

II(4)，在绝缘层II(4)上面形成的半导体有源层(5)，以及在半导体有源层(5)上面形

成的源电极(6)和漏电极(7)构成。

2.根据权利要求1所述的一种有机浮栅场效应晶体管，其特征在于所述衬底(1)为多

晶硅材料；绝缘层I(2)及绝缘层II(4)为二氧化硅；源电极(6)及漏电极(7)为金薄膜；

所述半导体有源层(5)为并五苯或酞菁铜。

3.根据权利要求1所述的一种有机浮栅场效应晶体管，其特征在于所述浮栅(3)层为

硅薄膜材料，厚度为15纳米至25纳米。

4.根据权利要求1或2所述的一种有机浮栅场效应晶体管，其特征在于所述源电极

(6)和漏电极(7)采用光刻形成，沟道长度0.035mm，沟道宽度4mm。

5.一种有机浮栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

①、在硅衬底(1)上用热氧化的方法生长了一层二氧化硅薄膜作为绝缘层I(2)；

②、用磁控溅射的方法在二氧化硅薄膜层即绝缘层I(2)上制备低阻硅薄膜作为浮栅

(3)；

③、在浮栅(3)层上用热氧化的方法生长一层二氧化硅薄层作为绝缘层II(4)；

④、再在绝缘层II(4)上真空热蒸发一层有机半导体薄膜材料形成半导体有源层(5)；

⑤、再在半导体有源层(5)真空热蒸发一层金薄膜层作为器件的电极材料；

⑥、最后通过光刻电极材料得到源电极(6)和漏电极(7)。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于所述绝缘层II(4)的电阻率在

10sup15/supΩcm以上，介电强度在10su