场效应管放大电路设计.pdfVIP

*

课程设计报告

题目：场效应管放大电路设计

学生姓名：***

学生学号：********

系别：电气信息工程院

专业：通信工程

届别：2014届

指导教师：**

电气信息工程学院制

2013年3月

**师范学院电气信息工程学院2014届通信工程专业课程设计报告

场效应管放大电路设计

学生：**

指导教师：**

电气信息工程学院通信工程专业

1、课程设计任务和要求：

1.1场效应管电路模型、工作点、参数调整、行为特征观察方法

1.2研究场效应放大电路的放大特性及元件参数的计算

1.3进一步熟悉放大器性能指标的测量方法

2、课程设计的研究基础：

2.1场效应管的特点

场效应管与双极型晶体管比较有如下特点：

(1)场效应管为电压控制型元件；

(2)输入阻抗高(尤其是MOS场效应管)；

(3)噪声系数小；

(4)温度稳定性好，抗辐射能力强；

(5)结型管的源极(S)和漏极(D)可以互换使用，但切勿将栅(G)源(S)极电压

的极性接反，以免PN结因正偏过流而烧坏。对于耗尽型MOS管，其栅源偏压可正可负，

使用较灵活。

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。场效应管，FET

是一种电压控制电流器件。其特点是输入电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小。

因而特别使用于高灵敏度、低噪声电路中。场效应管的种类很多，按结构可分为两大

类：结型场效应管、JFET和绝缘栅型场效应管IGFET。结型场效应管又分为N沟道和P

沟道两种。绝缘栅场效应管主要指金属一氧化物—半导体MOS场效应管。MOS管又分为

“耗尽型”和“增强型”两种，而每一种又分为N沟道和P沟道。结型场效应管是利用

导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流的输入电阻1051015之间，绝缘栅型是利

感应电荷的多少来控制导点沟道的宽窄从而控制电流的大小、其输入阻抗很高(其栅

极与其他电极互相绝缘)以及它在硅片上的集成度高，因此在大规模集成电路中占有

极其重要的地位由多数载流子参与导电，也称为单机型晶体管。它属于电压控制型

。

第1页

**师范学院电气信息工程学院2014届通信工程专业课程设计报告

半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易

于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。和双极型晶体管相比场效应

管的不足之处是共源跨导gm。值较低(只有ms级)，MOS管的绝缘层很薄，极容易被

感应电荷所击穿。因此，在用仪器测量其参数或用烙铁进行焊接时，都必须使仪器、

烙铁或电路本身具有良好的接地。焊接时，一般先焊S极，再焊其他极。不用时应将

所有电极短接。结型场效应管有三个电极，即源极、栅极和漏极，可以用万用表测

量电阻的方法，把栅极找出，而源极和漏极一般可对调使用，所以不必区分。测的依

据是，源极和漏极之间为一个半导体材料电阻，用万用表测量电阻的R×1kQ量程挡，

分别测量源极对漏极、漏极对源极的电阻值，它们应该相等。也可以根据栅极相对于