场效应晶体管型号.pdfVIP

场效应晶体管（Field-EffectTransistor，FET）是一种利

用电场效应控制电流的半导体器件。其型号由制造商命名，

不同的制造商和不同的产品系列可能有不同的命名规则。以

下是一些常见的场效应晶体管型号命名法：

按功能和参数命名：有些场效应晶体管按照其功能和电

气参数命名，例如“N沟道增强型场效应管”、“P沟道耗尽型

场效应管”等。这些命名方式简单明了，易于理解，但无法提

供具体的产品型号和规格信息。

按制造商命名：有些场效应晶体管按照制造商的命名方

式进行标注，例如“IRFD120”、“BS170”等。这些型号通常由

制造商自行定义，包含了具体的产品型号和规格信息。

按系列命名：有些场效应晶体管按照系列进行命名，例

如“3DJ6F”、“3C01”等。这些型号通常由制造商按照一定的规

则进行编号，包含了产品的系列、类型、规格等信息。

需要注意的是，具体的场效应晶体管型号和规格信息应

参考制造商提供的规格书或技术手册。