阈值电压的计算公式 .pdfVIP

阈值电压的计算公式

在电子学中，阈值电压通常是指场效应晶体管（FET）或金属氧化物

半导体场效应晶体管（MOSFET）的阈值电压。阈值电压是指当设

备的控制电压达到一定程度时，器件开始导通的电压。因此，阈值

电压通常被认为是器件的控制特性的重要参数之一。下面介绍阈值

电压计算公式及其应用。

阈值电压计算公式

FET和MOSFET的阈值电压计算公式不同，下面分别介绍。

场效应晶体管阈值电压计算公式

场效应晶体管（FET）的阈值电压计算公式如下：

Vth=Vgs-Vds（Id=0）

其中，Vth表示阈值电压；Vgs表示栅极电压；Vds表示漏极电压；

Id表示漏极电流。

金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压计算公式

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的阈值电压计算公式

如下：

Vth=Vfb+2φf+γ(2ϕf-Vsb)-2ϕf

其中，Vth表示阈值电压；Vfb表示平衡电位；φf表示表面电位；

γ表示摩尔电容；Vsb表示源极电压。

阈值电压应用

阈值电压是场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管的重要

参数之一，因此在实际应用中需要了解阈值电压的大小。下面分别

介绍FET和MOSFET的阈值电压应用。

场效应晶体管阈值电压应用

在设计场效应晶体管电路时，需要确定合适的电路工作点，以确保

器件的工作可靠性和性能。阈值电压是确定电路工作点的重要参数

之一。在确定电路工作点时，需要保证栅极电压大于阈值电压，以

确保器件处于饱和区工作。

金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压应用

在MOSFET电路中，阈值电压是非常重要的参数，它决定了

MOSFET是否能够被成功激活。在设计MOSFET电路时，需要根

据阈值电压来确定适当的控制电压，以确保器件能够正常工作。

总结

阈值电压是场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管的重要

参数之一，它决定了器件的控制特性和性能。在实际应用中，需要

了解阈值电压的计算公式和应用，以确保器件能够正常工作。