一种基于HEMT器件的开关结构 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN109326641A

(43)申请公布日2019.02.12

(21)申请号CN201811002463.6

(22)申请日2018.08.30

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人郑雪峰王士辉陈轶昕陈管君马晓华郝跃

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人郝梦玲

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种基于HEMT器件的开关结构

(57)摘要

本发明涉及一种基于HEMT器件的

开关结构，包括衬底层、缓冲层、势垒

层、漏电极、源电极、栅电极以及悬臂电

极，其中，所述衬底层、所述缓冲层和所

述势垒层自下而上依次设置；所述漏电极

和所述源电极均设置在所述缓冲层上，所

述势垒层设置在所述缓冲层上未被所述漏

电极和所述源电极覆盖的区域；所述栅电

极设置在所述势垒层上且位于所述漏电极

与所述源电极之间；所述悬臂电极的固定

端设置在所述势垒层上，悬臂端位于所述

漏电极和源电极上方，并且能够与所述漏

电极或源电极接触。该基于HEMT器件的

开关结构能够满足在高频、高压、高温等

领域的应用，且开关反应极快，在没有导

通的情况下不存在电流泄漏，极大地减小

了功率损耗。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种基于HEMT器件的开关结构,其特征在于,包括衬底层(1)、缓冲层(3)、势垒层

(4)、漏电极(6)、源电极(7)、栅电极(8)以及悬臂电极(9),其中,

所述衬底层(1)、所述缓冲层(3)和所述势垒层(4)自下而上依次设置;

所述漏电极(6)和所述源电极(7)均设置在所述缓冲层(3)上,所述势垒层(4)设置在所述

缓冲层(3)上未被所述漏电极(6)和所述源电极(7)覆盖的区域;

所述栅电极(8)设置在所述势垒层(4)上且位于所述漏电极(6)与所述源电极(7)之间;

所述悬臂电极(9)的固定端设置在所述势垒层(4)上,悬臂端位于所述漏电极(6)和源电

极(7)上方,并且能够与所述漏电极(6)或源电极(7)接触。

2.根据权利要求1所述的基于HEMT器件的开关结构,其特征在于,所述势垒层(4)上

还包括钝化层(5),所述钝化层(5)覆盖在所述漏电极(6)与所述栅电极(8)之间以及所述

源电极(7)与所述栅电极(8)之间的所述势垒层(4)上。

3.根据权利要求1所述的基于HEMT器件的开关结构,其特征在于,所述衬底层(1)和

缓冲层(3)之间还包括成核层(2)。

4.根据权利要求2所述的基于HEMT器件的开关结构,其特征在于,所述钝化层(5)的

材料是Al

2

O

3

、Si

3

N

4

、SiO

2

或TiN。

5.根据权利要求1所述的基于HEMT器件的开关结构,其特征在于,所述悬臂电极(9)

的所述悬臂端的下表面设置有接触电极(10),用于接触所述漏电极(6)或源电极(7)。

6.根据权利要求5所述的基于HEMT器件的开关结构,其特征在于,所述悬臂电极(9)

的材料为掺杂P的Si

0.4

Ge

0.6

。

7.根据权利要求5所述的基于HEMT器件的开关结构,其特征在于,所述接触电极(10)

的材料为W。

8.根据权利要求1所述的基于HEMT器件的开关结构,其特征在于,所述悬臂电极(9)

的厚度为0.8~