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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN102194516A
(43)申请公布日2011.09.21
(21)申请号CN201110054823.9
(22)申请日2011.03.07
(71)申请人S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
地址法国贝尔尼
(72)发明人C·马聚尔R·费朗B-Y·阮
(74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限公司
代理人程伟
(51)Int.CI
G11C11/413
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
SRAM型存储器单元
(57)摘要
本发明公开了一种SRAM型存储器
单元,包括:绝缘衬底上的半导体,包括
通过绝缘(BOX)层与基底衬底(2)隔开的半
导体材料薄膜(1);六个晶体管,包括两个
存取晶体管(T1,T4)、两个导电晶体管
(T2,T5)和两个充电晶体管(T3,T6),充
电晶体管被设置为与导电晶体管形成两个
反向耦合的反相器,其特征在于,每个晶
体管具有背控制栅极(BG1,BG2),背控制
栅极在基底衬底中形成在沟道下方并且能
够被加偏压以便调制晶体管的阈值电压,
第一背栅极线将存取晶体管的背控制栅极
连接到第一电位,第二背栅极线将导电晶
体管和充电晶体管的背控制栅极连接到第
二电位,根据单元控制操作的类型来调制
第一电位和第二电位。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种SRAM型存储器单元,包括:
绝缘衬底上的半导体,包括通过绝缘(BOX)层与基底衬底(2)隔开的半导体材料薄膜
(1);
六个晶体管(T1-T6),包括两个存取晶体管(T1,T4)、两个导电晶体管(T2,T5)和两
个充电晶体管(T3,T6),所述充电晶体管(T3,T6)被设置为与所述导电晶体管(T2,
T5)形成两个反向耦合的反相器,每个晶体管(T1-T6)包括设置在所述薄膜(1)中的漏
极区域(D)和源极区域(S)、在所述源极区域和所述漏极区域之间延伸的沟道(C)以及
位于所述沟道(C)上方的前栅极(G),
所述存储器单元的特征在于,每个晶体管(T1-T6)具有背控制栅极(BG1,BG2),所
述背控制栅极(BG1,BG2)在所述基底衬底(2)中形成在所述沟道(C)下方并且能够被
加偏压以便调制所述晶体管的阈值电压,第一背栅极线将所述存取晶体管(T1,T4)
的背控制栅极(BG1)连接到第一电位,第二背栅极线将所述导电晶体管(T2,T5)和
所述充电晶体管(T3,T6)的背控制栅极连接到第二电位,根据单元控制操作的类型
来调制所述第一电位和所述第二电位。
2.根据权利要求1所述的SRAM型存储器单元,其特征在于,所述存取晶体管(T1,
T4)和所述导电晶体管(T2,T5)是NFET晶体管,所述充电晶体管(T3,T6)是PFET
晶体管,且所述存取晶体管(T1,T4)的背控制栅极(BG1)具有N+电导率,所述导电
晶体管(T2,T5)和所述充电晶体管(T3,T6)的背控制栅极(BG2)具有N+电导率。
3.根据权利要求1或2所述的SRAM型存储器单元,其特征在于,所述导电晶体管
(T2,T5)和所述充电晶体管(T3,T6)的背控制栅极(BG2)在所述基底衬底(2)中在所
述沟道(C)下方设置在阱(5)中,所述阱(5)的电导率与所述背控制栅极(BG2)的电导
率相反。
4.根据权利要求1至4中任一项所述的SRAM型存储器单元,其特征在于,所述
SRAM型存储器单元是全耗尽的。
5.一种存储器阵列,包括多个根据权利要求1至4中任一项所述的SRAM
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