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SRAM型存储器单元.pdfVIP

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(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102194516A

(43)申请公布日2011.09.21

(21)申请号CN201110054823.9

(22)申请日2011.03.07

(71)申请人S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

地址法国贝尔尼

(72)发明人C·马聚尔R·费朗B-Y·阮

(74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限公司

代理人程伟

(51)Int.CI

G11C11/413

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

SRAM型存储器单元

(57)摘要

本发明公开了一种SRAM型存储器

单元,包括:绝缘衬底上的半导体,包括

通过绝缘(BOX)层与基底衬底(2)隔开的半

导体材料薄膜(1);六个晶体管,包括两个

存取晶体管(T1,T4)、两个导电晶体管

(T2,T5)和两个充电晶体管(T3,T6),充

电晶体管被设置为与导电晶体管形成两个

反向耦合的反相器,其特征在于,每个晶

体管具有背控制栅极(BG1,BG2),背控制

栅极在基底衬底中形成在沟道下方并且能

够被加偏压以便调制晶体管的阈值电压,

第一背栅极线将存取晶体管的背控制栅极

连接到第一电位,第二背栅极线将导电晶

体管和充电晶体管的背控制栅极连接到第

二电位,根据单元控制操作的类型来调制

第一电位和第二电位。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种SRAM型存储器单元,包括:

绝缘衬底上的半导体,包括通过绝缘(BOX)层与基底衬底(2)隔开的半导体材料薄膜

(1);

六个晶体管(T1-T6),包括两个存取晶体管(T1,T4)、两个导电晶体管(T2,T5)和两

个充电晶体管(T3,T6),所述充电晶体管(T3,T6)被设置为与所述导电晶体管(T2,

T5)形成两个反向耦合的反相器,每个晶体管(T1-T6)包括设置在所述薄膜(1)中的漏

极区域(D)和源极区域(S)、在所述源极区域和所述漏极区域之间延伸的沟道(C)以及

位于所述沟道(C)上方的前栅极(G),

所述存储器单元的特征在于,每个晶体管(T1-T6)具有背控制栅极(BG1,BG2),所

述背控制栅极(BG1,BG2)在所述基底衬底(2)中形成在所述沟道(C)下方并且能够被

加偏压以便调制所述晶体管的阈值电压,第一背栅极线将所述存取晶体管(T1,T4)

的背控制栅极(BG1)连接到第一电位,第二背栅极线将所述导电晶体管(T2,T5)和

所述充电晶体管(T3,T6)的背控制栅极连接到第二电位,根据单元控制操作的类型

来调制所述第一电位和所述第二电位。

2.根据权利要求1所述的SRAM型存储器单元,其特征在于,所述存取晶体管(T1,

T4)和所述导电晶体管(T2,T5)是NFET晶体管,所述充电晶体管(T3,T6)是PFET

晶体管,且所述存取晶体管(T1,T4)的背控制栅极(BG1)具有N+电导率,所述导电

晶体管(T2,T5)和所述充电晶体管(T3,T6)的背控制栅极(BG2)具有N+电导率。

3.根据权利要求1或2所述的SRAM型存储器单元,其特征在于,所述导电晶体管

(T2,T5)和所述充电晶体管(T3,T6)的背控制栅极(BG2)在所述基底衬底(2)中在所

述沟道(C)下方设置在阱(5)中,所述阱(5)的电导率与所述背控制栅极(BG2)的电导

率相反。

4.根据权利要求1至4中任一项所述的SRAM型存储器单元,其特征在于,所述

SRAM型存储器单元是全耗尽的。

5.一种存储器阵列,包括多个根据权利要求1至4中任一项所述的SRAM

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