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结型场效应管

如图XX_01(a)所示，在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的

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P型区（用P表示），就形成两个不对称的PN结。把两个P区并联在一起，引

出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为

源极（s）和漏极（d）。它们分别与三极管的基极（b）、发射极（e）和集电

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极（c）相对应。夹在两个PN结中间的N区是电流的通道，称为导电沟道（简

称沟道）。这种结构的管子称为N沟道结型场效应管，它在电路中用图XX_01(b)

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所示的符号表示，栅极上的箭头表示栅、源极间PN结正向偏置时，栅极电流的

方向（由P区指向N区）。

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实际的JFET结构和制造工艺比上述复杂。N沟道JFET的剖面图如图XX_01(c)所示。图中衬底和中间顶部都是P型半导体，它们

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连接在一起（图中未画出）作为栅极g。分别与源极s和漏极d相连的N区，是通过光刻和扩散等工艺来完成的隐埋层，其作用是为

源极s、漏极d提供低阻通路。三个电极s、g、d分别由不同的铝接触层引出。

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如果在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N区，就可以制成一个P沟道的结型场效应管。图XX_02给出了这种管子的结

构示意图和它在电路中的代表符号。

由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。

N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，现以N沟道结型场效应管为例，分析其工作原理。

N沟道结型场效应管工作时，也需要外加如图XX_01所示的偏置电压，即在栅极与源极间加一负电

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