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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN105607186A
(43)申请公布日2016.05.25
(21)申请号CN201610168021.3
(22)申请日2016.03.22
(71)申请人河南仕佳光子科技股份有限公司
地址458030河南省鹤壁市国家经济技术开发区沿河路201号
(72)发明人田亮尹小杰张家顺安俊明
(74)专利代理机构郑州优盾知识产权代理有限公司
代理人张绍琳
(51)Int.CI
G02B6/124
G02B6/13
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
基于SiO
(57)摘要
本发明公开了一种基于SiO
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种基于SiOsub2/sub加载条形波导的波导布拉格光栅，其特征在于：包括
基底层(4)、平板芯层(3)、引导芯层(2)和上包层(1)，平板芯层(3)覆
盖在基底层(4)的正面上，引导芯层(2)位于平板芯层(3)的正面上，
上包层(1)覆盖在平板芯层(3)的正面并将引导芯层(2)包裹。
2.根据权利要求1所述的基于SiOsub2/sub加载条形波导的波导布拉格光栅，
其特征在于：所述基底层(4)的材料为石英玻璃材料；所述平
板芯层(3)的材料为掺杂锗的二氧化硅材料，折射率为1.46566-
1.4801；所述引导芯层(2)的材料为掺杂锗的二氧化硅材料，折射率为
1.450498-1.45483；所述上包层(1)的材料为掺杂硼、磷的二氧化硅材
料。
3.根据权利要求1或2所述的基于SiOsub2/sub加载条形波导的波导布拉格光
栅，其特征在于：所述引导芯层(2)的折射率小于平板芯层(3)
的折射率。
4.根据权利要求3所述的基于SiOsub2/sub加载条形波导的波导布拉格光栅，
其特征在于：所述引导芯层(2)由条形波导和布拉格光栅两部
分组成，布拉格光栅分布在条形波导的侧面上。
5.根据权利要求4所述的基于SiOsub2/sub加载条形波导的波导布拉格光栅，
其特征在于：所述引导芯层(2)中的布拉格光栅的剖面形状呈
正弦结构或矩形结构。
6.根据权利要求1所述的基于SiOsub2/sub加载条形波导的波导布拉格光栅的
制造方法，步骤如下：
步骤S1：对基底层(1)表面做清洗处理，所述基底层(1)为石英晶圆；
步骤S2：采用PECVD淀积厚度为1um-2um的平板芯层(3)；其中，PECVD设备
的腔室气压为300-800mTorr，衬底温度为300-350℃，上电极低频射
频功率为200-700W，上电极高频射频功率为300-800W，硅烷气
体流量为10-20sccm,一氧化氮气体流量为1800-2000sccm，锗烷气体
流量为3.6-5.6sccm，沉积速率为180-230nm/min；
步骤S3：对平板芯层(3)进行高温退火处理，其中，退火
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