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常用场效应管和晶体管全参数大全
1.常用场效应管参数：
(1)静态参数：
a.离子阱截止电压（Vp）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流为
零的栅极-源极电压。
b.饱和漏极电流（Idss）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流的
最大值。
c.调整电压（Vto）：指在栅极与源极间电压为零时，栅极与源极间
的电流。
d.输入电容（Ciss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极之间的电容。
e.输出电容（Coss）：指当栅极-源极电压为零时，漏极之间的电容。
f.反馈电容（Crss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极与漏极之间
的电容。
(2)动态参数：
a.输入电导（Gm）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与栅极-源
极电压之比。
b.输入电阻（Rin）：指在栅极-源极电压为零时，输入电阻的值。
c.输出电导（Gds）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与漏极
电压之比。
d.输出电阻（Rout）：指在栅极-源极电压为零时，输出电阻的值。
e.转封闭电压（BreakdownVoltage）：指在栅极-源极电压为零时，
输出特性曲线开始变弯的电压。
2.晶体管参数：
(1)静态参数：
a.饱和电压（Vce）：指在负载线上工作时，集电极与发射极之间的
电压。
b.饱和电流（Ic）：指在负载线上工作时，通过集电极的电流。
c.漏电流（Iceo）：指在基极与集电极之间断开时，通过集电极的
漏电流。
d.输入电容（Cib）：指输入电容的值。
e.输出电容（Cob）：指输出电容的值。
(2)动态参数：
a.横向混频增益（hfe）：指输入电流与输出电流之比。
b.纵向封闭电流放大因数（hie）：指基极-发射极之间的电阻。
c.输出电流（Ib）：指基极电流。
d.纵向式封闭输出电阻（hre）：指输出电流与输入电流之比。
值得一提的是，晶体管比场效应管多一种参数：工作频率。此参数指
示了晶体管在给定频率下的性能。
这些是常见的场效应管和晶体管的主要参数。不同的型号和规格的场
效应管和晶体管可能会有其他额外的参数依赖于具体应用和要求。
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