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场效应管与普通晶体管的区别

场效应管与普通晶体管的区别场效应管与普通晶体管的区别从以

下八个方面详细介绍：

1．导电原理

场效应管主要有结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管

（IGFET）。绝缘栅型场效应管的衬底（B）与源极（S）连在一起，

它的三个极分别为栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。晶体管分

NPN和PNP管，它的三个极分别为基极（b）、集电极（c）、发射

极（e）。场效应管的G、D、S极与晶体管的b、c、e极有相似的功

能。绝缘栅型效应管和结型场效应管的区别在于它们的导电机构和电

流控制原理根本不同，结型管是利用耗尽区的宽度变化来改变导电沟

道的宽窄以便控制漏极电流，绝缘栅型场效应管则是用半导体表面的

电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流。它们性质

的差异使结型场效应管往往运用在功放输入级（前级），绝缘栅型场

效应管则用在功放末级（输出级）。

2．极性

场效应管只有多子参与导电，所以称之为单极型器件；三极管有

多子和少子两种载流子参与导电，被称之为双极型器件。而少子浓度

受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性

好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用

场效应管。

3．放大性能

场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm

一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器

件，由iB（或iE）控制iC，放大性能好。

4．管脚互换性

场效应管在源极水与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，

且特性变化不大，栅压也可正可负；而三极管的集电极与发射极互换

使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。

5．对电压电流的要求

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。场效应管

栅极几乎不取电流（ig?0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电

流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。在只允许从信

号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又

允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

6．温度稳定性

场效应管只有多子参与导电，；三极管有多子和少子两种载流子

参与导电，。而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应

管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）

变化很大的情况下应选用场效应管。

场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开路电路，但由于前

者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽

等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。

7．噪声表现

场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛

应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可

以获得一般晶体管很难达到的性能。

功率放大电路是一种弱电系统，具有很高的灵敏度，很容易接受

外界和内部一些无规则信号的影响，也就是在放大器的输入端短路时，

输出端仍有一些无规则的电压或电流变化输出，利用示波器或扬声器

就可觉察到。这就是功率放大器的噪声或干扰电压。噪声所产生的影

响常用噪声系数Nf表示，单位为分贝（dB），Nf越小越好，Nf=输

入信号噪声比/输出信号噪声比，晶体管的噪声来源有三种：⑴热噪声：

由于载流子不规则的热运动，通过半导体管内的体电阻时而产生；⑵

散粒噪声：通常所说的三极管中的电流只是一个平均值，实际上通过

发射结注入基区的载流子数目，在各个瞬时都不相同，因而引起发射

极电流或集电极电流有一无规则的流动，产生散粒噪声；⑶颤动噪声：

晶体管产生颤动噪声的原因现在还不十分清楚，但被设想为载流子在

晶体表面的产生和复合所引起，因此与半导体材料本身及工艺水平有

关。而场效应管的噪声只产生于载流子的运动，所以场效应管的Nf比

晶体

管的要小。放大器不仅其放大其输入端的噪声，而且，放大器本

身也存在噪声，所以其输出端的信噪比必然小于输入端信噪比，放大

器本身噪声越大，它的输出端信噪比就越小于输入端信噪比，Nf就越

大，所以在低噪声放大器的前级通常选用场效应管，或者低噪声晶体

管。

场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信

噪比较高的电路中要选用场效应管。

8．方便集成性能

场效应管能在很小电流和很低电压