一种硅片缺陷检测方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN109781621A

(43)申请公布日2019.05.21

(21)申请号CN201711107234.6

(22)申请日2017.11.10

(71)申请人隆基绿能科技股份有限公司

地址710100陕西省西安市长安区航天中路388号

(72)发明人邓浩张济蕾魏超锋李梦飞姚宏谢志宴刘晓东

(74)专利代理机构西安弘理专利事务所

代理人钟欢

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种硅片缺陷检测方法

(57)摘要

本发明公开的一种硅片缺陷检测方

法，用于检测识别具有微裂纹缺陷的硅

片，包括步骤：提供待测硅片；将所述待

测硅片置于超声设备中进行超声处理；以

及检测前述经超声处理后未破损的待测硅

片是否具有微裂纹缺陷。本发明的一种硅

片缺陷检测方法用于检测识别具有微裂纹

缺陷的硅片，其利用特定频率的超声波作

用置于液体中的硅片，通过统计硅片碎片

率表征同批次硅片中隐裂片的概率情况，

为衡量同批次硅片的整体质量情况提供参

考依据，而且再通过硅片分选机复判硅片

是否具有微裂纹时也更容易辨别，该方法

操作简单、直接，成本低廉，检测过程速

度快，准确性较好，特别是对于判断大批

量的硅片质量具有很大的检测优势。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

发明专利申请公布后的驳回

IPC(主分类):G01N19/08专利申发明专利申请公布后

2022-12-02

请号:2017111072346申请公布的驳回

日

权利要求说明书

1.一种硅片缺陷检测方法,其特征在于,用于检测识别具有微裂纹缺陷的硅片,包括步

骤:

提供待测硅片;

将所述待测硅片置于超声设备中进行超声处理;以及

检测前述经超声处理后未破损的待测硅片是否具有微裂纹缺陷。

2.如权利要求1所述的一种硅片缺陷检测方法,其特征在于,在对所述待测硅片进行

超声处理的步骤中,将所述待测硅片完全浸没于盛装于所述超声设备的液体中,设定

超声波频率为10-25KHz,功率密度0.5-1W/cm

2

,超声时间1~20min。

3.如权利要求2所述的一种硅片缺陷检测方法,其特征在于,所述超声波频率为10-

15KHz,超声时间5~15min。

4.如权利要求3所述的一种硅片缺陷检测方法,其特征在于,所述超声波频率为

12KHz,超声时间10min。

5.如权利要求1所述的一种硅片缺陷检测方法,其特征在于,在对所述待测硅片进行

超声处理的步骤前,将所述待测硅片插入硅片承载装置中。

6.如权利要求5所述的一种硅片缺陷检测方法,其特征在于,所述硅片承载装置选用

花篮。

7.如权利要求1所述的一种硅片缺陷检测方法,其特征在于,采用硅片分选机检测经

超声处理后未破损的待测硅片是否具有微裂纹缺陷。

说明书

p技术领域

本发明属于硅片缺陷检测技术领域,具体涉及一种硅片缺陷检测方法。

背景技术

在全球经济突飞猛进的今天,能源和环境一直是困扰世界各国发展的主要问题。煤

炭、石油、天然气等作为人类目前生产、生活的主要能源,因过度开采已面临枯竭,

而其对地球环境产生的负面影响也日益彰显。为此,寻找一种可持续的绿色能源对

于人类未来极为重要。根据国际能源署(IEA)的估计,预计到2050年太阳能发电将

占到全球发电总量的16%,太阳能将成为未来人类生产和生活的主要能源之一。

太阳能发电途径主要包括光伏发电、光化学发电、