三极管VCBO _原创精品文档.pdfVIP

因为VCE0是基极开路时加在集电极和发射极之间的电压，集电结是反向电压，发射结是正向电压，发射结的正向电

压大小决定与流过它的电流大小。这个电流受穿透电流的影响存在雪崩倍增效应。所以VCEO要比VCBO小的多。

VCBO没有穿透电流影响，只是电压过高引起的击穿雪崩电压，所以高。

晶体三极管的作用及检测

2008-05-1810:33

晶体三极管具有放大、开关、振荡、混频、频率变换等作用，通常晶体三极管可以处理的功率至

几百W，频率至几百MHz左右。

这样的晶体三极管是在一个本征半导体中由三层n型半导体和p型半导体构成的。

本章学习晶体三极管所具有的NPN型和PNP型结构以有晶体三极管的命名方法，并且从称为基极、

集电极、发射极的三个电极中流过的缌髦道囱芯烤迦苤械缌鞯牧鞫椒ê妥饔谩Ｈ缓螅四

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蟹治觥?br2.1晶体三极管是P型和N型半导体和有机组合

2.1.1晶体三极管的各种各样形状和名称

晶体三极管有三只脚，有的金属壳相当于其中一只脚。如图2.1所示，对应于不同的用途，有各

种各样形状的三极管。另外，晶体三极管的名称根据ＪＩＳ。从晶体三极管的名称，我们可以了解

其大致的用途和结构。

2.1.2晶体三极管的结构和电路符号

晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。

Npn型，两端是n型半导体，中间是p型半导体。Pnp型如同图(b)所示，两端是p型半导体，中

间是n型半导体。

，被夹在中间的p型以及n型半导体部分，宽度只有数微米程度，非常的薄，这一部分称为基区

（base:B）。夹住基区的两个半导体中一个称为发射区（emitter:E），另一个称为集电区(collector:C)。

还有，发射区和集电区，例如在npn型的情况下，虽然都是n型的，但发射区与集电区相比，具有杂

质浓度高出数百倍，并且交界面面积小等在结构上的不同。

同图(c)、(d)是npn型以及pnp型晶体三极管的电路符号。发射极中电流的流向用箭头表示，当

为npn型时箭头向外，当为pnp型时箭头向内。

2.2晶体三极管究竟起着什么样的作用

2.2.1对晶体三极管一加上电压，其作用就明白了

晶体三极管的工作原理

图2.4所示的是通过在晶体三极管的基极B、集电极C、发射极E上施加电压，来观察电压和电流

关系的电路。

（1）基极电流IB不流通时在图2.4中，开关S一断开，则由于基极开路，所以IB（基极电流）

就不流通。这时只对晶体三极管的C、E间施加电压VCE（集电极电压），观察IC（集电极电流）、IE

（发射极电流）的变化，结果如表2.1所示。

（2）基极电流流通时在图2.4中，开关S一闭合，则由于B、E间加有电压，所以基极电流IB

流通。这时，对应于VCE和IB的变化，IC和IE的变化如表2.2所示。

（3）从表2.1、2.2的结果，可以看出晶体三极管具有以下的工作原理：

①即使加有集电极电压，但在基极电流不流通时，集电极电流、发射极电流也都不流通。这样

的状态称为晶体三极管的截止（OFF）状态。

②加上集电极电压，由基极电流的微量流通，在集电极可获得大的电流流通，这样的状态称为

晶体三极管的导通（ON）状态。

③基极电流流通时，即使改变集电极电压的大小，集电极电流的大小也不大变化。

④使基极电流产生微小的变化，就可以使得集电极电流产生较大的变化。

⑤基极电流与集电极电流之和变成发射极电流，因此，下面的关系式成立。

IE=IB+IC

（发射极电流）=（基极电流）+（集电极电流）

（b）晶体三极管的作用

基极电流IB、集电极电流IC，也分别称为输入电流和输出电流，输出电流与输入电流相比有相当

的增大，此现象称为放大。

这里，IC与IB的比称为直流电流放大倍数hFE，如下式所示：

晶体三极管的直流电流放大倍数的数值通常大多在50～1000左右的范围内。因此，根据（3）中

的第①、②条，晶体三极管具有在ON