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第3章场效应晶体管放大电路
3.1知识要点
3.1.1场效应管有结型和MOS型两大类,每类都有N沟道和P沟道之分,MOS场效应管还有增强型和耗
尽型之分,故场效应管有6种类型。它们的结构、工作原理、伏安特性、作用、主要参数、电路组成、分
析方法相似;正向控制原理都是利用栅源电压改变导电沟道的宽度而实现对漏极电流的控制;小信号模型
完全相同;但由于沟道类型不同,结构上也有不同,因此6种管子对偏置电压的要求各不相同。
栅源电压为零时存在原始导电沟道的场效应管称为耗尽型场效应管;天然原始导电沟道,只有在U
GS
绝对值大于开启电压U绝对值后才能形成导电沟道的,则称为增强型场效应管。
GS(th)
U
IIGS2
=(1−)
DDSSU
P
当工作于放大区时,对耗尽型场效应管
1.2.4场效应晶体管
表5.1晶体管与场效应管比较
比较项目晶体管场效应管
两种不同极性的载流子(电子与空只有一种极性的载流子(电子或空
载流子穴)同时参与导电,故又称为双极穴)参与导电,故又称为单极型晶
型晶体管体管
控制方式电流控制电压控制
类型NPN型和PNP型两种N沟道和P沟道两种
βg=1~5mA/V
放大参数=20~200
m
24714
输入电阻r=10~10Ω较小r=10~10Ω很大
begs
输出电阻r很大r很大
ceds
热稳定性差好
制造工艺较复杂简单,成本低,便于集成
对应电极基极-栅极,发射极-源极,集电极-漏极
1
3.1.2场效应晶体管放大电路
共源极分压式偏置放大电路及其直流通路、交流通路和微变等效电路如图2.6所示。
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