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m1栅场效应晶体管
M1栅场效应晶体管(Field-EffectTransistor,简称FET)是一种三端器件,其电流
主要由输入电压(通过栅极)控制。在FET中,栅极与沟道之间由一层薄绝缘层
隔离,因此FET也被称为绝缘栅场效应晶体管(IGFET)。
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