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IC_版图设计工程师答案.pdfVIP

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IC版图设计工程师试题库答案

一、单项选择题(选定数字填在空中)

1、纯净的半导体材料如硅,其导电性能与金属材料的导电性能相比3。

(1)更好(2)相近(3)差很多(4)不一定

2、半导体双极型晶体管是一种1控制器件,半导体MOS管是一种1控制器件。

(1)电流,电压(2)电压,电流(3)电压,电压(4)电流,电流

3、PN结二极管的电容,除了势垒电容外,还有扩散电容;对于势垒电容,PN结二极管无

论如何偏置均存在,而对于扩散电容,则是当二极管3时存在。

(1)零偏(2)反偏(3)正偏(4)任意偏置

4、若双极型晶体管发射区浓度为N,基区浓度为N,集电区浓度为N,为了获得较高的

EBC

电流增益,各区掺杂浓度之间的关系是1。

(1)NNN(2)NNN(3)NNN(4)NNN

EBCBECCBEBCE

5、为了提高双极型晶体管的电流增益,可以将晶体管基区宽度做得较4;为了提高晶

体管集电结的击穿电压,可以将晶体管的集电区宽度做得较4。

(1)厚,厚(2)薄,薄(3)厚,薄(4)薄,厚

6、集成电路电路中的晶体管,所有的电接触都是在芯片的2实现的。

(1)反面(2)正面(3)侧面(4)任意面

7、制作集成电路中的双极型晶体管,除了在外延层中制作基区和发射区,通常还要制作一

个高掺杂的埋层,这个埋层的作用是3。

(1)提高增益(2)减少增益(3)减少体电阻(4)增加体电阻

8、要提高双极型晶体管的特征频率f,可以缩小结面积、适当降低集电区电阻率、减少集

T

电区厚度,还可以1基区厚度。

(1)减少(2)保持(3)增加(4)随意改变

9、双极型晶体管的饱和深度越深,存储在晶体管基区和集电区内的超量存储电荷越多,晶

体管退饱和所需要的时间ts2。

(1)越短(2)越长(3)没变化(4)不确定

10、肖特基二极管是一种开启电压很低的二极管,将它与普通晶体管BC结并接所构成的肖

特基晶体管,可以1晶体管的饱和深度,提高晶体管的开关速度。

(1)降低(2)增加(3)消除(4)以上答案都不对

11、双极型晶体管的3可以控制集电极电流;MOS晶体管的3可以控制漏源电流。

(1)基极电流(2)射极电流(3)基极电流(4)射极电流

漏源电压栅源电压栅源电压漏源电压

12、N沟增强型MOS管的定义是

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