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氧化镍薄膜器件阻变存储特性研究.pdf

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摘要

传统的计算芯片基于冯•诺依曼架构,该架构按照从内存中获取指令、解码指令、

执行指令和存储结果的基本顺序循环。尽管当前的计算机在提高计算速度和处理复杂性

方面取得了快速进步,但最先进的超级计算机仍然无法在适应能力、容错能力、体积大

小和能源效率等方面与人类大脑竞争。阻变存储器(RRAM)作为一种新型存储器件,

由于其结构简单、功耗低和集成密度高等优点备受关注。随着对芯片集成度的要求越来

越高,需要RRAM器件具备更好的性能以提高其实用性,比如实现多级存储或多功能

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