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场效应管放大电路
1．图1所示为MOSFET的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如是增强型，说明
它的开启电压V＝？如是耗尽型，说明它的夹断电压V＝？（图中i的假定正向为流进漏
TPD
极。）
i/mA
Di/mA
D
4－1012v/V
GS
2－
3
－3－2－10v/V
GS
i/mA
D
－－
420v/V
GS
－2
－4
（a）（b）（c）
图1
2
2．已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为K＝0.2mA/V，V＝0.5V，i＝－0.5mA（假
PPD
定正向为流进漏极）。试求此时的预夹断点栅源电压v和漏源电压v等于多少？
GSDS
2
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