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ZnO基物理瞬态阻变存储器的制备及其电学性能研究.pdf

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    摘要

    阻变存储器（Resistiverandomaccessmemory，RRAM）因其结构简单、读写速度

    快、功耗低、成本低、可扩展性强以及与互补金属氧化物半导体工艺兼容性好等优点

    而备受关注。另一方面，随着电子垃圾的逐年增多，以及人们对信息存储安全的愈发

    重视，可降解电子器件已经被讨论和研究得越来越多。物理瞬态阻变存储器则兼具了

    非易失性阻变存储器和可降解电子器件的优势，已经成为存储器相关研究中的热点。

    本论文主要选用丝素蛋白（Silkfibroin，SF）薄

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