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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN110098328A
(43)申请公布日2019.08.06
(21)申请号CN201910247710.7
(22)申请日2019.03.29
(71)申请人北京大学深圳研究生院
地址518071广东省深圳市南山区西丽镇丽水路深圳大学城北大园区A422#
(72)发明人张敏杜春晖黄秋月
(74)专利代理机构北京天驰君泰律师事务所
代理人沈超
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
柔性电子器件及其制造方法
(57)摘要
本申请公开了一种制备柔性电子器
件的方法,包括准备带孔的柔性滤膜;准
备一个或多个经图形化的掩膜版;通过真
空抽滤在所述经图形化的掩膜版和所述滤
膜上分别形成一层或多层柔性材料;以及
去除所述掩膜版。本申请还公开了一种柔
性电子器件。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2023-10-31授权发明专利权授予
权利要求说明书
1.一种制备柔性电子器件的方法,包括
准备带孔的柔性滤膜;
准备一个或多个经图形化的掩膜版;
通过真空抽滤在所述经图形化的掩膜版和所述滤膜上分别形成一层或多层柔性材料;
以及
去除所述掩膜版。
2.如权利要求1所述的方法,还包括在所述电子器件的全部结构形成后,填充所述滤
膜的孔。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述掩膜版为光刻胶层;所述准备经图形化的掩膜
版包括,在所述滤膜上形成光刻胶层,以及对所述光刻胶层进行图形化;
所述去除所述掩膜版包括去除所述光刻胶层。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述柔性材料包括一维或二维材料。
5.如权利要求4所述的方法,其中当所述电子器件为晶体管的时候,所述柔性材料至
少包括半导体性碳纳米管、金属性碳纳米管,和/或石墨烯氧化物。
6.如权利要求1所述的方法,其中对所述经图形化的掩膜版包括与所述电子器件结构
对应的图形以及与对准标记对应的图形。
7.如权利要求6所述的方法,其中形成所述柔性材料时,针对所述对准标记图形采用
的柔性材料溶液浓度大于形成所述电子器件结构图形的柔性材料溶液浓度。
8.一种柔性电子器件,包括
带有孔的柔性滤膜,以及形成在所述柔性滤膜上的一层或多层柔性材料。
9.如权利要求8所述的电子器件,其中所述柔性材料包括一维或二维材料。
10.如权利要求9所述的电子器件,其中当所述电子件为晶体管时,所述柔性材料至少
包括半导体性碳纳米管、金属性碳纳米管和/或石墨烯氧化物。
11.如权利要求8所述的电子器件,其中所述孔的直径范围为0.4-0.5μm,和/或所述孔
的密度为0.4-0.5/μm
2
。
12.如权利要求8所述的电子器件,其中所述滤膜的平均粗糙度为4-5nm。
13.如权利要求11或12所述的电子器件,其中所述滤膜为PET膜。
14.如权利要求10所述的电子器件,其中在石墨烯氧化物上形成的任一其他结构的全
部都形成在所述石墨烯氧化物上。
15.一种电路,包括
一个或多个如权利要求8-14任一所记载的电子器件。
说明书
p技术领域
本申请属于电子器件和电子线路领域,尤其涉及柔性电子器件及其制造方法。
背景技术
近些年,柔性可穿戴电子产品受到了广泛的关注也得到了深入的研究。作为柔性可
穿戴电子产品的一个分支,对全柔性薄膜晶体管(TFTs)的研发也在持续进行。从材
料的角度讲,全柔性的薄膜晶体管要求其所有的组成部分采用的材料都是柔性的。
低维材料(lowdimensionalmaterials,LDM),例如氮化硼(h-BN),石墨烯及其衍生物,碳纳
米管,黑磷,以及过渡金属硫族化合物(T
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