1章常用半导体器件题解(第四版模电答案).pdfVIP

1章常⽤半导体器件题解（第四版模电答案）

第⼀章常⽤半导体器件

⾃测题

⼀、判断下列说法是否正确，⽤“√”和“×”表⽰判断结果填⼊空内。

（1）在N型半导体中如果掺⼊⾜够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）

（2）因为N型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电。（）

（3）PN结在⽆光照、⽆外加电压时，结电流为零。（）

（4）处于放⼤状态的晶体管，集电极电流是多⼦漂移运动形成的。

（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS⼤的特点。（）

（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS⼤于零，则其输⼊电阻会明显变⼩。（）

解：（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×

⼆、选择正确答案填⼊空内。

（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。

A.变窄

B.基本不变

C.变宽

（2）稳压管的稳压区是其⼯作在。

A.正向导通

B.反向截⽌

C.反向击穿

（3）当晶体管⼯作在放⼤区时，发射结电压和集电结电压应为。

A.前者反偏、后者也反偏

B.前者正偏、后者反偏

C.前者正偏、后者也正偏

（4）UGS＝0V时，能够⼯作在恒流区的场效应管有。

A.结型管

B.增强型MOS管

C.耗尽型MOS管

解：（1）A（2）C（3）B（4）AC

三、写出图T1.3所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压UD＝0.7V。

图T1.3

解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，

UO6≈－2V。

四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最⼩值IZmin＝5mA。求图T1.4所⽰电路中UO1和UO2各为多少伏。

图T1.4

解：UO1＝6V，UO2＝5V。

五、电路如图T1.6所⽰，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问：

（1）Rb＝50kΩ时，uO＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为

26bBEBBB=-=RUVIµA

V

2mA6.2CCCCCEBC=-===RIVUIIβ

所以输出电压UO＝UCE＝2V。图T1.5（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以

Ω≈-=

==

=-=

k4.45A

6.28mA

86.2B

BE

BBbC

BcCES

CCCIUVRIIRUVIµβ

六．测得某放⼤电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所⽰，它们的开启电压也在表中。试分析各管的⼯作状态(截⽌区、恒流区、可变电阻区），并填⼊表内。

表T1.6

解：因为三只管⼦均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所⽰各极电位可判断出它们各⾃的⼯作状态，如解表T1.7所⽰。

解表T1.6

习题

1.1选择合适答案填⼊空内。

（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。

A.五价

B.四价

C.三价

（2）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。

A.增⼤

B.不变

C.减⼩

（3）⼯作在放⼤区的某三极管，如果当IB从12µA增⼤到22µA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。

A.83

B.91

C.100

（4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将。

A.增⼤

B.不变

C.减⼩

解：（1）A，C（2）A（3）C（4）A

1.2电路如图P1.3所⽰，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设⼆极管正向导通电压可忽略不计。

图P1.2

解图P1.2

解：ui和uo的波形如解图P1.2所⽰。

1.3电路如图P1.3所⽰，已知ui＝5sinωt(V)，⼆极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。

图P1.3

解图P1.3

解：波形如解图P1.3所⽰。

1.4电路如图P1.4所⽰，⼆极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。

试问⼆