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一、填空题

1、普通晶闸管内部有三个PN结,，外部有三个电极，分别是阳极A极、阴极K极和门极G极。

2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。

3、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。

4、请在正确的空格内标出下面元件的简称：

电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管TGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

5、只有当阳极电流小于维持电流电流时，晶闸管才会由导通转为截止。

6、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压同步，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的时刻被触发，才能得到稳定的直流电压。

7、晶体管触发电路的同步电压一般有正弦波同步电压和锯齿波电压。

8、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用正弦波同步电压与一个或几个控制电压的叠加，利用改变控制电压的大小，来实现移相控制。

9、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止关断过电压损坏晶闸管的。

10、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫快速熔断器。

11、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压同步，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的时刻被触发，才能得到稳定的直流电压。

12、晶体管触发电路的同步电压一般有正弦波同步电压和锯齿波电压。

13、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。

14、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，电感性负载和反电动势负载三大类。

15、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会减小，解决的办法就是在负载的两端并接接一个续流二极管。

16、整流装置的功率因数定义为交流侧有功功率与视在功率之比。

17、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有无功功率补偿，最常用的方法是在负载侧并联电容。

18、GTO的全称是门极可关断晶闸管，图形符号为；GTR的全称是大功率晶体管，图形符号为；P-MOSFET的全称是功率场效应管，图形符号为；IGBT的全称是绝缘门极晶体管，图形符号为。

19、GTO的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。

20、大功率晶体管简称GTR，通常指耗散功率1W以上的晶体管。

21、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是电流不够大和耐压不够高。

22、直流斩波器是通过对电力电子器件的通断控制，将直流电压断续地加到负载上，通过改变来改变输出电压平均值占空比D。

23、直流斩波器通常有定频调宽、定宽调频和调频调宽三种控制方式。

24、升降压式直流电压变换电路其输出电压可以小于输入电压，也可以大于输入电压。且输出电压极性与输入电压极性相反。

25、升压斩波电路之所以能使输出电压高于电源电压，关键在于：一是电感L储能之后具有使电压泵升的作用，二是电容C可将输出电压保持住。

26、在直流斩波电路中，由于输入电源为直流电，电流无自然过零点，因此，直流斩波器多以具有自关断能力的全控型电力电子器件作为开关器件。

27、基本的直流斩波电路有降压斩波电路、升压斩波电路、升降压等斩波电路。

28、降压斩波器中，电源电压Ud=50V，导通比为0.8，则负载电压平均值Uld为40V。

29、整流是把交流电变换为直流电的过程；逆变是把直流电变换为交流电的过程。

30、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。

31、逆变角β与控制角α之间的关系为α=π－β。

32、逆变角β的起算点为对应相邻相负半周的交点往左度量。

33、当电源电压发生瞬时与直流侧电源顺极性串联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为逆变失败或逆变颠覆。

34、为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为30°～35°。

35、由两套晶闸管组成的变流可逆装置中，每组晶闸管都有四种工作状态，分别是待整流状态、整流状态、待逆变状态和逆变状态。

36、某半导体器件的型号为KN100/50—7，其中KN表示该器件的名称为逆导晶闸管100表示晶闸管额定电流为100A，50表示二极管额定电流为50A，7表示额定电压100V。

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