一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法.pdfVIP

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（10）申请公布号

CN110857476A

（43）申请公布日2020.03.03

（21）申请号CN201810964680.7

（22）申请日2018.08.23

（71）申请人山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司

地址250199山东省济南市历城区山大南路27号

（72）发明人谢雪健;陈秀芳;杨祥龙;胡小波;徐现刚;张用

（74）专利代理机构济南金迪知识产权代理有限公司

代理人王楠

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法

（57）摘要

本发明涉及一种低电阻率低位错密度的n

型SiC单晶的生长方法，属于晶体生长技术领

域，包括步骤如下：(1)在坩埚中放置SiC粉料及

辅助掺杂剂，并将坩埚置于生长室内；(2)对生长

室内进行抽真空处理，通入氩气作为载气，开启

中频电源，加热坩埚至一定温度，在生长室内建

立合适的温度梯度；(3)生长室内通入一定流量的

N

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2020-03-03公开公开

权利要求说明书

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说明书

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