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摘要
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)主要应用于计算机和智能手机中的液晶显
示器,如今多家大型工厂每年生产数百万台显示器,每台显示器包含数百万个TFT。
静电纺丝和溶液旋涂法由于操作简单、成本低且可大面积生产的优势被视为制备TFT
最具有应用前景的技术。金属氧化物半导体因其载流子浓度较高、禁带宽度大以及化
学稳定性良好等优点,从而在实验研究和工业生产中被广泛的应用。同时氧化铟
(Indiumoxide,InO)作为一种新型的具有较宽禁带宽度
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