有哪些信誉好的足球投注网站- 1、本文档共9页，可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111366589A
(43)申请公布日2020.07.03
(21)申请号202010198747.8
(22)申请日2020.03.20
(71)申请人广州南砂晶圆半导体技术有限公司
地址511400广东省广州市南沙区珠江街
南江二路7号自编2栋2层201室
(72)发明人彭燕杨祥龙徐现刚王垚浩
于国建陈秀芳
(51)Int.Cl.
G01N21/95(2006.01)
G01N1/32(2006.01)
C30B33/12(2006.01)
C30B29/36(2006.01)
权利要求书1页说明书4页附图3页
(54)发明名称
一种碳化硅单晶位错检测方法
(57)摘要
本申请提供了一种碳化硅单晶位错检测方
法，利用氢等离子体或者氧等离子体的刻蚀特
性，刻蚀碳化硅晶圆表面，得到碳化硅单晶中的
位错缺陷，既可以选择对C面刻蚀、也可以对Si面
刻蚀，不采用强碱熔融作为腐蚀液，安全且高效，
另外，由于微波等离子体腔体较大，无需额外制
样，可实现小片或者全片观察位错类型、密度和
分布情况。
A
9
8
5
6
6
3
1
1
1
N
C
权利要求书
CN111366589A1/1页
1.一种碳化硅单晶位错检测方法，其特征在于，包括：
将碳化硅晶圆放入微波等离子体腔体内；
对所述微波等离子体腔体内进行抽真空处理，直至所述微波等离子体腔体内的压力达
到预设压力值；
向所述微波等离子体腔体通入氢气、氧气和甲烷中的一种或多种刻蚀气体；
打开微波，使通入所述微波等离子体腔体内的刻蚀气体形成氢等离子体或者氧等离子
体，以利用所述氢等离子体或者氧等离子体刻蚀所述碳化硅晶圆。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将碳化硅晶圆放入微波等离子体腔体内，
包括：
将碳化硅晶圆放入微波等离子体腔体的底部，其中，所述碳化硅晶圆的硅面与所述微
波等离子体腔体的底部相接触。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将碳化硅晶圆放入微波等离子体腔体内之
前，所述方法还包括：
对所述碳化硅晶圆进行清洗处理。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通入所述微波等离子体腔体内的刻蚀气体
的流量为50-1000sccm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通入所述微波等离子体腔体内的刻蚀气体
的流量为100-500sccm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述氢等离子体或者氧等离子体刻蚀
所述碳化硅晶圆的过程中，所述微波等离子体腔体内压力为50～400torr、温度为800～
1200℃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述氢等离子体或者氧等离子体刻蚀
所述碳化硅晶圆的过程中，所述微波等离子体腔体内压力为150～400torr、温度为900～
1200℃。
2
说明书
CN111366589A1/4页
一种碳化硅单晶位错检测方法
技术领域
[0001]本申请涉及碳化硅单晶缺陷检测技术领域，尤其设计一种碳化硅单晶位错检测方
法。
背景技术
[0002]随
文档评论（0）