有哪些信誉好的足球投注网站- 1、本文档共13页，可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN110592672A
(43)申请公布日2019.12.20
(21)申请号CN201811533723.2
(22)申请日2018.12.14
(71)申请人北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天
科合达新材料有限公司
地址102600北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢
301室
(72)发明人刘春俊雍庆彭同华赵宁王波杨建
(74)专利代理机构
代理人
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种低基面位错密度的碳化硅晶体
生长方法
(57)摘要
本发明公开了一种低基面位错密度
的碳化硅晶体生长方法，其包括：将装有
碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉
中，在特定的温度和压力条件下使碳化硅
原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷
却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：
在生长过程中，在温度保持在高温的条件
下，通过控制生长室内的压力来调控SiC
晶体生长过程的开始及中断，使碳化硅晶
体在先开始生长后再中断生长然后再缓慢
接长，从而促使基面位错在中断后接长时
转换为刃位错，从而获得低基面位错密度
的碳化硅晶体。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
专利实施许可合同备案的生效
IPC(主分类):C30B29/36专利申
请号:2018115337232专利
号:ZL2018115337232合同备案
号:X2023990000677让与人:北京
天科合达半导体股份有限公司,北
京天科合达新材料有限公司,新疆专利实施许可合同备
2023-08-11天科合达蓝光半导体有限公司受案的生效、变更及注
让人:深圳市重投天科半导体有限销
公司发明名称:一种低基面位错密
度的碳化硅晶体生长方法申请
日申请公布
日权公告
日可种类:普通许可
备案日期
权利要求说明书
1.一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法,其包括:将装有碳化硅原料和籽晶的
坩埚放于单晶生长炉中,在一定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽
晶上结晶,将晶体冷却,获得碳化硅单晶,其特征在于,在单晶生长过程中,在温度保持
高温的条件下,控制生长室内的压力来调控晶体生长过程的开始及停止,使碳化硅晶
体在先开始生长后再中断生长然后再缓慢接长的过程中促使基面位错转换为贯通刃
位错,所述温度和压力条件为依次进行的以下过程:(1)在压力为20-80kPa的条件下,
将温度升至2000-2500°C,并维持1-10h;(2)将压力降至100-3000Pa,并维持1-30h;(3)
将压力升至20-80kPa,并维持0.1-4h;(4)将压力降至300-3000Pa,并维持10-40h;(5)将
压力降至100-1500Pa,并维持40-200h;(6)将压力升至
文档评论（0）