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运放的仿真与分析
1.基本仿真流程
(1)
电路仿真界面:
进入UNIX系统,按键“Ctrl+t”出现下图窗口:
图1
输入“icfb”回车后出现下图窗口。
图2
注:有关镜像的操作:
图2中选择“LibraryPathEditor”出现下图窗口:
图3
左栏为文件名,右栏为路径;或者打开文件cds.lib按下图编写文件
图4
图5
FileNewLibrary(opam)(New)CellView
进入电路图编辑界面,画相应的放大器电路,如下图
图6
(2)调用相关器件
器件的调用操作:按快捷键“i”,选择library,以及相应的器件(nmos,
pmos,res,cap等)
注:模型名要与模型库中的相应名称相同。打开模型库的.scs文件,查看模型
名和器件的基本参数(t,V,):
oxth
//Modelsincludedinthisrelease:
//
//ModelNameDescription
//
//nmos_1p8BSIM3v3modelforthin-gate(1.8V)NMOStransistor
//pmos_1p8BSIM3v3modelforthin-gate(1.8V)PMOStransistor
//nmos_3p3BSIM3v3modelforthick-gate(3.3V)NMOStransistor
//pmos_3p3BSIM3v3modelforthick-gate(3.3V)PMOStransistor
//nmos_1p8_natBSIM3v3modelforthin-gate(1.8V)NativeNMOStransistor
//nmos_3p3_natBSIM3v3modelforthick-gate(3.3V)NativeNMOStransistor
sectionnmos_1p8_t
modelnmos_1p8bsim3v3{
0:type=n
+lmin=1.8e-007lmax=3.5e-007wmin=2.2e-007
………….
+xw=0tox=3.5e-009toxm=3.5e-009
…………………
+xpart=0vth0=0lvth0=1.1573677e-008
…………………..
+cdscd=0cit=0.0017786u0=0.035597185
………………….
//*****************************************************************************
sectionpmos_1p8_t
modelpmos_1p8bsim3v3{
0:type=p
+lmin=1.8e-007lmax=3.5e-007w
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