运放的仿真与分析报告.pdfVIP

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运放的仿真与分析

1.基本仿真流程

(1)

电路仿真界面:

进入UNIX系统,按键“Ctrl+t”出现下图窗口:

图1

输入“icfb”回车后出现下图窗口。

图2

注:有关镜像的操作:

图2中选择“LibraryPathEditor”出现下图窗口:

图3

左栏为文件名,右栏为路径;或者打开文件cds.lib按下图编写文件

图4

图5

FileNewLibrary(opam)(New)CellView

进入电路图编辑界面,画相应的放大器电路,如下图

图6

(2)调用相关器件

器件的调用操作:按快捷键“i”,选择library,以及相应的器件(nmos,

pmos,res,cap等)

注:模型名要与模型库中的相应名称相同。打开模型库的.scs文件,查看模型

名和器件的基本参数(t,V,):

oxth

//Modelsincludedinthisrelease:

//

//ModelNameDescription

//

//nmos_1p8BSIM3v3modelforthin-gate(1.8V)NMOStransistor

//pmos_1p8BSIM3v3modelforthin-gate(1.8V)PMOStransistor

//nmos_3p3BSIM3v3modelforthick-gate(3.3V)NMOStransistor

//pmos_3p3BSIM3v3modelforthick-gate(3.3V)PMOStransistor

//nmos_1p8_natBSIM3v3modelforthin-gate(1.8V)NativeNMOStransistor

//nmos_3p3_natBSIM3v3modelforthick-gate(3.3V)NativeNMOStransistor

sectionnmos_1p8_t

modelnmos_1p8bsim3v3{

0:type=n

+lmin=1.8e-007lmax=3.5e-007wmin=2.2e-007

………….

+xw=0tox=3.5e-009toxm=3.5e-009

…………………

+xpart=0vth0=0lvth0=1.1573677e-008

…………………..

+cdscd=0cit=0.0017786u0=0.035597185

………………….

//*****************************************************************************

sectionpmos_1p8_t

modelpmos_1p8bsim3v3{

0:type=p

+lmin=1.8e-007lmax=3.5e-007w

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