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第二章习题集思考题

一填空题：

1.电力电子器件一般工作在_______状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__，而当器件开关频率较高时，

功率损耗主要为___。

3.电力电子器件组成的系统，一般由_主电路_____、__控制电路____、__驱动电路

______三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路_。

4.在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、

电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属

于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；

在全控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是

________，属于电流驱动的是________。

9、可关断的晶闸管的图形符号是_____；电力晶体管的图形符号_______；

功率场效应晶体管的图形符号是____；绝缘栅双极型晶体管的图形符号是___

____。

10、绝缘栅双极型晶体管是以___电力场效应管的栅极____作为栅极，以_电

力晶体管的发射极和集电极______作为发射极与集电极复合而成。

二.简答题：

1.使晶闸管导通的条件是什么？怎样使晶闸管由导通变为关闭？

2.如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏？

3.GTO与GTR同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？

4.试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。

5．图题2-13中实线部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为I，试计算各图的

m

电流平均值还要算有效值．

图2-13

习题及思考题

一填空题：

1.电阻负载的特点是________，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制

角α的最大移相范围是________。

2.阻感负载的特点是________，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路

中，晶闸管承受的最大正反向电压均为________，续流二极管承受的最大反向电压为

________（设U2为相电压有效值）。

3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为________，单个晶闸

管所承受的最大正向电压和反向电压分别为________和________；带阻感负载时，α角移

相范围为________，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为________和

________。

4晶闸管内部具有________层半导体器件，有三个引出端，分别为：________、________、

________。

5控制角指：________________________________________，用________表示；导通角

是指：________________________，用________表示。

6.单相全波阻感负载的可控整流电路中，α角移相范围为________，单个晶闸管所承

受的最大正向电压和反向电压分别为________和________。

7.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于

________，晶闸管控制角α的最大移相范围是________，使负载电流连续的条件为________

(U2为相电压有效值)。

8.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差____，当它带

阻感负载时，的移相范围为_____。

9.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是

________的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是