一种准确辨别碳化硅单晶位错类型的方法.pdfVIP

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（10）申请公布号

CN108169228A

（43）申请公布日2018.06.15

（21）申请号CN201711214286.3

（22）申请日2017.11.28

（71）申请人中国工程物理研究院电子工程研究所

地址621999四川省绵阳市游仙区绵山路64号

（72）发明人崔潆心;李俊焘

（74）专利代理机构成都天嘉专利事务所(普通合伙)

代理人蒋斯琪

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

一种准确辨别碳化硅单晶位错类型的方法

（57）摘要

本发明公开了一种准确辨别碳化硅单晶位

错类型的方法，该方法主要通过对SiC单晶衬底

进行湿法腐蚀处理，借助激光共聚焦显微镜观察

位错腐蚀坑的形成与发展，进而通过衬底腐蚀坑

的截面图和夹角信息来判断衬底腐蚀坑对应的位

错类型。本发明主要针对目前衬底片的缺陷密度

在10

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2018-06-15公开公开

2018-06-15公开公开

2018-07-13实质审查的生效实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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