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小功率调幅AM发射机设计

LT

分。

调幅发射机通常由主振级、缓冲级、倍频级、中

间放大级、振幅调制、音频放大和输出网络组成。根

据设计要求，载波频率f=10MHz，主振级采用克拉

主缓高频振幅高频

话低频

泼振荡电路，输出的载波的频率可以直接满足要求，

不需要倍频器。系统原理图如图所示：

三、单元电路设计、参数计算和器件选择

1.主振器

对于普通信号其频率稳定度一般要求在10^-4

和10^-5之间，而克拉泼电路的频稳度大体在10^-4

和10^-5之间，满足设计要求，而且电路比较简单，

容易分析，因此主振器选取克拉泼电路。

R1、R2、R3、R4是三极管的直流偏置

电阻，使三极管获得正常的工作点，工作于放大区，

C4是基极旁路电容，目的是使三极管基极获得交流

地电位，组成高频共基极放大器。电路的相位条件自

然满足“射同它异”原则；幅度条件是需保证共基极放

大器的闭环功率增益大于OdB，按照这样的依据去

计算回路器件值就可以确保电路能够起振。C1、

C2、C3、L1的器件值决定了振荡回路的工作频

率。根据交流等效原则，可以知道这是一个电容反馈

三点式振荡器。C2与C1的容抗比值决定了电路

的电压反馈系数，调整它们的比例可以改变振荡幅

度。在回路中多了一个与电感L1相串联的电容器

C3，通过调整C3，可以连续改变振荡频率。

晶体管3DG12B，其参数为Icm＝300mA,fT≥

200MHz,V(BR)CEO≥45V,Pcm=0.7W,

已知条件：

Vcc=12V，fc=10MHz，选择的晶体管型号是

3DG12B，其放大倍数β=50，ICQ=3mA，

VCEQ=6V,VEQ=0.2VCC.依据电路计算：

Vcc−(VCEQ＋VEQ)

R3=

ICQ

()

(12−6+0.2×12)V

==1.92kΩ

3mA

VCEQ0.2×12V

R4===800Ω

ICQ3mA

ICQ3mA

IBQ===0.066mA

β50

(VCC−VBQ)(12−3.1)V

R1===15KΩ

10IBQ0.6×mA

103

VBQ(VEQ+0.7)V

R2===5.