一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN106876383A

(43)申请公布日2017.06.20

(21)申请号CN201710001483.0

(22)申请日2017.01.03

(71)申请人中国人民解放军国防科学技术大学

地址410073湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学计算机

学院

(72)发明人陈书明吴振宇梁斌胡春媚池雅庆陈建军黄鹏程宋睿强张健刘蓉容

(74)专利代理机构湖南兆弘专利事务所(普通合伙)

代理人赵洪

(51)Int.CI

H01L27/02

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种针对轰击NMOS晶体管无面积

开销的单粒子瞬态加固方法

(57)摘要

本发明公开了一种针对轰击NMOS

晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方

法，目的是解决针对轰击NMOS晶体管的

单粒子瞬态加固技术面积开销较大的问

题。技术方案是断开衬底接触、PMOS晶

体管与NMOS晶体管之间的金属连接；沿

着栅极延伸方向移动NMOS晶体管有源

区，使得NMOS晶体管有源区和N阱的间

距达到半导体代工厂提供的设计规则规定

的最小间距，将NMOS有源区移动的距离

记为L；将栅极长度减小L，使得多晶硅

超出NMOS有源区的长度与常规版图一

致；恢复衬底接触、PMOS晶体管与

NMOS晶体管之间的金属连接。采用本发

明加固后的集成电路版图在粒子轰击

NMOS晶体管时，可以加快NMOS晶体管

中粒子沉积电荷的释放，减小单粒子瞬态

脉宽；且本发明仅涉及晶体管版图位置的

改变，没有面积开销。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法,其特征包括以下

步骤:

第一步,断开衬底接触与NMOS晶体管之间的金属连接,断开PMOS晶体管与

NMOS晶体管之间的金属连接;

第二步,沿着栅极延伸方向移动NMOS晶体管有源区,使得NMOS晶体管有源区和

N阱的间距达到半导体代工厂提供的设计规则规定的最小间距,将NMOS有源区移

动的距离记为L;

第三步,将栅极长度减小L使得多晶硅超出NMOS有源区的长度与常规版图一致;

第四步,将第一步断开的衬底接触与NMOS晶体管之间的金属连接,PMOS晶体管与

NMOS晶体管之间的金属连接进行恢复。

说明书

技术领域

本发明涉及纳米CMOS集成电路抑制单粒子瞬态(SET,Single-EventTransient)的版

图加固技术,特别涉及一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方

法。

背景技术

在宇宙空间中,存在着大量粒子(质子、电子、重离子等)。集成电路受到这些粒子的

轰击后,会产生单粒子瞬态。单粒子瞬态对于集成电路的正常工作将产生极大的负

面影响。例如,当单粒子瞬态脉冲传播至集成电路内部的存储节点时,有可能诱发单

粒子翻转(SEU,Single-EventUpset)。粒子轰击集成电路的线性能量传递(LE