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半导体功率器件项目
申请报告
规划设计/投资分析/实施方案
报告说明—
该半导体功率器件项目计划总投资17052.40万元,其中:固定资产投
资14182.85万元,占项目总投资的83.17%;流动资金2869.55万元,占项
目总投资的16.83%。
达产年营业收入21956.00万元,总成本费用17291.86万元,税金及
附加271.27万元,利润总额4664.14万元,利税总额5578.74万元,税后
净利润3498.11万元,达产年纳税总额2080.64万元;达产年投资利润率
27.35%,投资利税率32.72%,投资回报率20.51%,全部投资回收期6.37
年,提供就业职位395个。
功率半导体器件是实现电能转换的核心器件。主要用途包括逆变、变
频等。功率半导体可以根据载流子类型分为双极型功率半导体和单极型功
率半导体。双极型功率半导体包括功率二极管、双极结型晶体管(BJT)、
电力晶体管(GTR)、晶闸管、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。单极型功
率半导体包括功率MOSFET、肖特基势垒功率二极管等。它们的工作电压和
工作频率也有所不同。功率半导体器件广泛应用于消费电子、新能源交通、
轨道交通、发电与配电等电力电子领域。
目录
第一章项目基本信息
第二章项目建设单位说明
第三章建设必要性分析
第四章产品规划分析
第五章项目选址方案
第六章项目工程设计研究
第七章工艺可行性
第八章环境保护、清洁生产
第九章安全规范管理
第十章投资风险分析
第十一章节能
第十二章实施方案
第十三章投资估算
第十四章项目经营效益
第十五章评价及建议
第十六章项目招投标方案
第一章项目基本信息
一、项目提出的理由
功率半导体器件是实现电能转换的核心器件。主要用途包括逆变、变
频等。功率半导体可以根据载流子类型分为双极型功率半导体和单极型功
率半导体。双极型功率半导体包括功率二极管、双极结型晶体管(BJT)、
电力晶体管(GTR)、晶闸管、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。单极型功
率半导体包括功率MOSFET、肖特基势垒功率二极管等。它们的工作电压和
工作频率也有所不同。功率半导体器件广泛应用于消费电子、新能源交通、
轨道交通、发电与配电等电力电子领域。
二、项目概况
(一)项目名称
半导体功率器件项目
(二)项目选址
某某新兴产业示范基地
场址应靠近交通运输主干道,具备便利的交通条件,有利于原料和产
成品的运输,同时,通讯便捷有利于及时反馈产品市场信息。对周围环境
不应产生污染或对周围环境污染不超过国家有关法律和现行标准的允许范
围,不会引起当地居民的不满,不会造成不良的社会影响。
(三)项目用地规模
项目总用地面积48517.58平方米(折合约72.74亩)。
(四)项目用地控制指标
该工程规划建筑系数58.70%,建筑容积率1.47,建设区域绿化覆盖率
5.79%,固定资产投资强度194.98万元/亩。
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