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电力电子技术基本概念和基础知识练习带答案（大工复习）

电力电子技术基本概念和基础知识练习：（王兆安、黄俊第四版）

第1章电力电子器件填空题：

1.电力电子器件一般工作在_开关_状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而

当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，一般由_控制电路_、_驱动电路_、_

电力电子器件_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往

需添加_保护电路_。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件

可分为_单极型_、双极型、_复合型_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_加正向压降导通、加反向压降

关断_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_肖特基二极管_、_快

恢复二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为_阳极和阴极_正向有触发则导

通、反向截止_关断_。

9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL_

＞_IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应

为，UDRM_＜_Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同

一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的_多元集成_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称

为_开通_。

14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法

时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者

的_截至区_、前者的饱和区对应后者的_放大区_

_饱和区_。

15.电力MOSFET的通态电阻具有_正_温度系数。

16.IGBT的开启电压UGE（th）随温度升高而_略降_，开关速度_

小于_电力MOSFET

17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类

是_智能功率集成电路_。

18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，

可将电力电子器件分为_电压型_和_电流型_两类。

19.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_使GTR导通时处

于临界饱和状态_。

20.抑制过电压的方法之一是用_电感_吸收可能产生过电压的能量，

并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于_中、

小_功率装置的保护。

21.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用_快恢复_型二极

管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。

22.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_电阻均

压_措施，给每只管子并联RC支路是_动态均压_措施，当需同时串联

和并联晶闸管时，应采用_先串后并_的方法。

23.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有_负_温度

系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有_正_温度系数。

24.在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、

门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管

（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器

件的是_P.Diode_，属于半控型器件的是_SCR_，属于全控型器件的是

_GTO、GTR、IGBT、P.MOSFET_；属于单极型电力电子器件的有

_P.Diode、P.MOSFET_，属于双极型器件的有_SCR、GTR、GTO_，

属于复合型电力电子器件得有_IGBT_；在可控的器件中，容量最大的

是_SCR_，工作频率最高的是_P.MOSFET_，属于电压驱动的是

_P.MOSFET、IGBT_，属于电流驱动的是_SCR、GTR、GTO_。

第2章整流电路填空题：

1.电阻负载的特点是_输出电流与输出电压波形相同_，在单相半波

可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是

_0~180°_