硫掺杂的MoO_原创精品文档.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN103227286A

(43)申请公布日2013.07.31

(21)申请号CN201310113046.X

(22)申请日2013.04.02

(71)申请人武汉工程大学

地址430074湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号

(72)发明人秦平力秦中立余雪里李端勇张昱

(74)专利代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司

代理人崔友明

(51)Int.CI

H01L51/42

H01L51/44

H01L51/46

H01L51/48

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

硫掺杂的MoO

(57)摘要

本发明涉及一种硫掺杂的MoO

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.硫掺杂的MoOsub3/sub薄膜作为阳极界面层的有机光伏电池，包括有氧化物

透明导电衬底、阳极界面层、有机光敏活性层和金属电极，所述的

阳极界面层是利用磁控溅射系统，通过改变沉积薄膜时的氩氧

气氛比，将MoSsub2/sub靶在氧化物透明导电衬底上沉积出含硫掺杂的

MoOsub3/sub薄膜。

2.根据权利要求1所述的硫掺杂的MoOsub3/sub薄膜作为阳极界面层的有机光

伏电池，其特征是：

所述的沉积含硫掺杂的MoOsub3/sub薄膜的制备条件为：

（1）本底真空度1×10sup-4/sup～3×10sup-3/supPa；

（2）溅射工作气压0.5～3.0Pa；

（3）溅射功率是40～140W；

（4）溅射时衬底温度是30～400℃；

（5）溅射气氛总流量为10sccm，溅射时Osub2/sub/(Ar+Osub2/sub)流量

比是0-50%；

（6）溅射时间为0.1～16分钟。

3.根据权利要求1或2所述的硫掺杂的MoOsub3/sub薄膜作为阳极界面层的有

机光伏电池，其特征是：所述氧化物透明导电衬底为镀有ITO或

FTO或AZO或ITAZO导电膜的玻璃，或镀有ITO的柔性透

明塑料。

4.根据权利要求1或2所述的硫掺杂的MoOsub3/sub薄膜作为阳极界面层的有

机光伏电池，其特征是：所述有机光敏活性层为P3HT:PCBM。

5.根据权利要求1或2所述的硫掺杂的MoOsub3/sub薄膜作为阳极界面层的有

机光伏电池，其特征是：金属电极为Al电极、Ca/Al电极或Ag电

极。

6.权利要求1～5任一项所述的硫掺杂的MoOsub3/sub薄膜作为阳极界面层的

有机光伏电池的制备方法，其特征在于包括有以下步骤：

（1）采用磁控溅射方法，利用MoSsub2/sub靶在氧化物透明导电衬底上沉积

含硫掺杂的MoOsub3/sub薄膜；

（2）在空气中或在惰性气体保护下，在含硫掺杂的MoOsub3/sub薄膜上甩上

有机光敏活性层；

（3）在有机光敏活性层表面蒸发金属电极，通过惰性气体保护，在120-150℃下

烘烤退火5-10min，即得。

7.根据权利要求6所述的硫掺杂的MoOsub3/sub薄膜作为阳极界面层的有机光

伏电池的制备方法，

其特征是：步骤（1）所