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碳化硅外延片规格

一、引言

碳化硅外延片是一种重要的半导体材料，具有优异的热导性、耐高

温性和高电子迁移率等特点，被广泛应用于功率电子器件、射频器

件和光电子器件等领域。本文将就碳化硅外延片的规格进行详细介

绍。

二、尺寸规格

碳化硅外延片的尺寸规格通常以直径和厚度来描述。常见的直径规

格有2英寸（50.8毫米）、3英寸（76.2毫米）和4英寸（101.6毫

米）等，其中以4英寸直径的外延片最为常见。而厚度规格则根据

具体应用而有所不同，常见的厚度有350微米、500微米和750微

米等。

三、取向规格

碳化硅外延片的取向规格主要指的是晶面取向。常见的取向规格有

4H-SiC和6H-SiC等，其中4H-SiC是最为常见的取向。4H-SiC外延

片的主晶面为(0001)，6H-SiC外延片的主晶面为(0001)和(000-1)。

四、晶质质量

碳化硅外延片的晶质质量是衡量其品质的重要指标之一。晶质质量

主要包括晶格完整性、晶界密度和位错密度等。优质的碳化硅外延

片应具有较低的晶界密度和位错密度，以保证器件的性能和可靠性。

五、表面粗糙度

碳化硅外延片的表面粗糙度对于器件的性能也具有重要影响。表面

粗糙度通常用根均方差（RootMeanSquare，RMS）来描述，常见的

要求为1纳米以下。较低的表面粗糙度有助于提高器件的电学性能

和热学性能。

六、自生晶片和外延晶片

碳化硅外延片可分为自生晶片和外延晶片两种类型。自生晶片是指

在碳化硅单晶衬底上通过自身扩散生长的外延片，具有与衬底相同

的取向和晶格结构。而外延晶片是指通过化学气相沉积（Chemical

VaporDeposition，CVD）等方法，在非碳化硅衬底上生长的外延片，

具有与衬底不同的取向和晶格结构。

七、厚度均匀性

碳化硅外延片的厚度均匀性是指在整个晶片上厚度的一致性。厚度

均匀性的好坏对于器件制备过程中的光刻和腐蚀等工艺步骤具有重

要影响。通常要求碳化硅外延片的厚度均匀性在±5%以内。

八、电阻率

碳化硅外延片的电阻率是指单位长度内材料电阻的大小，常用单位

为欧姆·厘米（Ω·cm）。电阻率的大小与材料的掺杂浓度和类型有

关。碳化硅外延片的电阻率通常在10^-2到10^3Ω·cm之间。

九、总结

碳化硅外延片的规格包括尺寸、取向、晶质质量、表面粗糙度、自

生晶片和外延晶片、厚度均匀性以及电阻率等。这些规格对于碳化

硅外延片的性能和应用具有重要影响。在实际应用中，根据具体需

求选择合适的规格能够更好地满足器件的要求。