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从算力到存力：存储芯片研究框架

——AI行业系列报告

行业评级：看好

2023年4月3日

证券研究报告

分析师

陈杭

邮箱

chenhang@

证书编号

S1230522110004

研究助理

安子超

邮箱

anzichao@

电话摘要

2

2023年3月31日，我国发起对美光在华销售产品的网络安全审查，体现出存储产业安全的重要性。此外，AI算力需求拉动高算力

服务器出货，而AI服务器的存力需求更强，AI将驱动“从算力到存力”的中长期需求：

1、海外厂商占据绝对份额，国内存储安全重要性凸显

存力的底层支撑：半导体存储器芯片（主流为DRAM+NANDFlash）。存力的体现形式：数据中心+存储服务器。

海外巨头垄断，国内存储安全重要性日益凸显。全球DRAM市场几乎由三星、SK海力士和美光所垄断，CR3超过95%，全

球NANDflash市场由前三大厂商分别为三星、铠侠和海力士，目前CR3市场份额达65%，CR6市场份额接近95%。

2、国内数据圈庞大，AI驱动“从算力到存力”的长期需求

得益于人工智能、物联网、云计算等新兴技术的快速发展，中国数据正在迎来爆发式增长，驱动存储设备在数据中心采购占比进一步提升。据IDC预测，预计到2025年，中国数据圈将增长至48.6ZB，占全球数据圈的27.8%，成为全球最大的数据圈。

AI技术革命推动高算力服务器等基础设施需求提升，AI服务器所需的DRAM/NAND分别是常规服务器的8/3倍。

3、存储周期拐点已至，库存改善、价格压力缓解

美光23Q1存货环比小幅回落，集邦咨询预测23Q2DRAM价格跌幅收窄至10%-15%（23Q1为20%），库存情况改善、价格压力缓解，存储行业周期迎来拐点。

4、先进存力的前进方向：存算一体、HBM/DRAM、3DNAND

存算一体：将存储单元和计算单元合为一体，省去了计算的数据搬运环节，消除由于数据搬运带来的功耗，提升计算能效。

HBM/DRAM：作为存储器主流之一的DRAM技术不断升级，衍生出HBM（高带宽内存），其是一款新型的CPU/GPU内存芯片，将多个DDR芯片堆叠后与GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列，突破内存容量与带宽瓶颈。

3DNAND（立体堆叠技术）：可以摆脱对先进制程工艺的束缚，不依赖于EUV技术，而闪存的容量/性能/可靠性也有了保障。

建议关注标的：兆易创新、北京君正、澜起科技、深科技、东芯股份、聚辰股份、普冉股份、江波龙、佰维存储、德明利

易华录、朗科科技、恒烁股份、同有科技、雅创电子

风险提示

3

1、宏观经济下行风险

2、上游晶圆紧缺加剧的风险

3、市场发展不及预期的风险

4、技术发展不及预期风险

01

4

存力概况

01

数据中心 存储服务器

体现形式

存力

底层支撑

半导体存储器芯片

存力主要由数据中心和存储服务器驱动

存储技术架构

连接方式 SAN NAS DAS

存储架构 集中式存储 分布式存储

文件存储 块存储 对象存储 其他

SCSIiSCSI NVMe

S3 Swift

HD 表存

FS 储

存储类型

和协议 NFSCIFSFTP

组网方式 IP组网 FC组网 IB组网

存储介质 机械硬盘 固态硬盘 光盘 磁带

资料来源：下一代数据存储技术研究报告（2021年），中国信息通信研究院，浙商证券研究所

得益于人工智能、物联网、云计算、边缘计算等新兴技术在中国的快速发展，中国数据正在迎来爆发式增长。据此前IDC预测，预计到2025年，中国数据圈将增长至48.6ZB，占全球数据圈的27.8%，成为全球最大的数据圈。

我国数据量爆发驱动存储需求增长

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2017 2018 2019 2020 2021

资料来源：联想、IDC、中国存力白皮书（2022年），中国信通院，中国数据存储行业发展深度调研与投资前景研究报告（2023-2030年），浙商证券研究所

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市场规模（亿元）

YOY

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CAGR=30%

中国新增数据量统计及预测

2018 2025E

中国数据存储市场规模预测

我国存储容量增量

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数据中心驱动存储需求增长

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7

随着数据量的大规模增长，存储设备在数据中心采购的BOM中占比进一步提升，美光曾提及，目前存储芯片在数据中

心采购中比例约为40%，未来预计将提升至50%。数据中心将成为引领存储市场增长的重要引擎。

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