成都电子科技大学微电子器件2008-2016年考研初试真题+答案 .pdfVIP

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2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题

考试科目：832微电子器件

注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题（共44分，每空1分）

1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到

（）处的电位差。掺杂浓度越高，内建电势将越（）。

2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区

之外，（）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。

3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（），

其原因是它的（）更小。

4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度

梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（）结求解。

5、温度升高时，PN结的齐纳击穿电压会（），因为（）随温度升高减小了。

6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将

（），原因是电子辐照在半导体中引入了（）。

7、当PN结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（），扩散电容会（）。

（填“变大”，“变小”或“不变”）

8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（），厄尔利电压

越（）。（填“大”或“小”）

9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（）电流与

（）电流之比。

10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率

γ会（）；同时，和PN结大注入相类似，基区内会发生（）效应。

11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（）f（）。

12、双极型晶体管的高频优值是指（）与（）的乘积。

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13、小电流时，双极型晶体管的电流放大系数会下降，这是由于（）

在（）中所占的比例增加所引起的。

14、MOS结构中，半导体的表面势是指从（）到（）

的电势差。一般来说，实际MOS结构的表面势是（）零的，这主要是由于

（）以及（）所引起。（第三个空填“”、“”或“=”）

15、为了降低栅氧化层电荷的影响，MOSFET通常会采用（）晶面来制作。

16、为了提高MOSFET的饱和区跨导，应该（）栅源电压，（）栅氧化

层厚度，（）沟道宽长比。

17、当短沟道MOSFET的沟道载流子发生速度饱和时，提高其栅源电压，将引起饱和