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三极管及其应用电路
一、简述
半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的
功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,
而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的
两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。由于不同的组合方式,
形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。
二、三极管的识别
三极管的电路符号有两种:有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,
而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。基区:较薄,掺杂浓度低;
发射区:掺杂浓度较高,多子载流子多;集电区:面积较大。
图2NPN和PNP三极管的等效模型
三、三极管工作原理分析(详情参见华为模电资料)
讲三极管的原理我们从二极管的原理入手讲起。我们知道二极管是由一个PN结构成的,
而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。
二极管的结构与原理都很简单,内部一个PN结具有单向导电性,如示意图B。
很明显图示二极管处于反偏状态,PN结截止。我们要
特别注意这里的截止状态,实际上PN结截止时,总是会有很
小的漏电流存在,也就是说PN结总是存在着反向关不断的现
象,PN结的单向导电性并不是百分之百。因为P区除了因“掺
杂”而产生的多数载流子“空穴”之外,还总是会有极少数的本
征载流子“电子”出现。N区也是一样,除了多数载流子电子之
外,也会有极少数的载流子空穴存在。
由于PN结内部存在有一个因多数载流子相互扩散而产
生的内电场,而内电场的作用方向总是阻碍多数载流子的正向
通过,所以,多数载流子正向通过PN结时就需要克服内电场
的作用,需要约0.7伏的外加电压,这是PN结正向导通的门电压。而反偏时,内电场在电
源作用下会被加强也就是PN结加厚,少数载流子反向通过PN结时,内电场作用方向和少
数载流子通过PN结的方向一致,也就是说此时的内电场对于少数载流子的反向通过不仅不
会有阻碍作用,甚至还会有帮助作用。结论:反偏时少数载流子反向通过PN结是比正偏时
多数载流子正向通过PN结还要容易。这就能解释为什么三极管在饱和状态下,集电极电位
很低甚至会接近或稍低于基极电位,集电结处于零偏置,但仍然会有较大的集电结的反向电
流Ic产生。
2)集电极电流Ic的形成:如图C,发射结加上正偏电压导通后,在外加电压的作用
下,发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。这些载流子一旦进入
基区,它们在基区(P区)的性质仍然属于少数载流子的性质。如前所述,少数载流子很容
易反向穿过处于反偏状态的PN结,所以,这些载流子——
电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结到达集电
区形成集电极电流Ic。由此可见,集电极电流的形成并不是
一定要靠集电极的高电位。集电极电流的大小更主要的要取
决于发射区载流子对基区的发射与注入,取决于这种发射与
注入的程度。所以说:Ic的本质是“少子”电流,是通过电子
注入而实现的人为可控的集电结“漏”电流,因此它就可以很
容易地反向通过集电结。这就可以证明:三极管在放大状态
下,集电极电流Ic与集电极电位Vc的大小无关的原因。放
大状态下Ic并不受控于Vc,Vc的作用主要是维持集电结的
反偏状态。
3)Ic与Ib的关系:
通过上面的讨论,现在已经明白,三极管在电流放大状态下,内部的主要电流就是由
载流子电子由发射区经基区再到集电区贯穿三极管
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