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一种用于微型LED器件的柔性聚酰亚胺衬底及其制备方法 .pdfVIP

一种用于微型LED器件的柔性聚酰亚胺衬底及其制备方法 .pdf

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(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN110098302A

(43)申请公布日2019.08.06

(21)申请号CN201910371453.8

(22)申请日2019.05.06

(71)申请人华南理工大学;华南理工大学珠海现代产业创新研究院

地址510640广东省广州市天河区五山路381号

(72)发明人汤勇李宗涛卢汉光宋存江饶龙石颜才满丁鑫锐

(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司

代理人何淑珍

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种用于微型LED器件的柔性聚

酰亚胺衬底及其制备方法

(57)摘要

本发明公开了一种用于微型LED

器件的柔性聚酰亚胺衬底及其制备方法。

所述衬底由粗化铜柱以及改性聚酰亚胺组

成。本发明的制备方法包括如下步骤:铜

柱图案的制备,铜柱的成形以及粗化,聚

酰亚胺的改性以及固化等。本发明的衬底

以聚酰亚胺为主体,利用其柔性抵抗外界

应力的冲击,可改善芯片及器件的力学性

能,避免芯片开裂问题;本发明提出的制

备方法,用铜柱粗化的方式,增加铜柱表

面粗糙度,利用聚酰亚胺固化前流动性强

的特点,提高铜电极与衬底主体材料的结

合强度,从而避免电极从衬底脱落的问

题。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种用于微型LED器件的柔性聚酰亚胺衬底,其特征在于,所述衬底由粗化铜柱(1)

和改性聚酰亚胺(2)组成;所述粗化铜柱(1)为方柱,侧面表面粗糙;所述改性聚酰亚胺(2)

与粗化铜柱(1)高度相同。

2.根据权利要求1所述的衬底,其特征在于,所述粗化铜柱(1)的长度为1-1.3mm,宽度

为0.5-0.7mm,高度为0.3-0.5mm。

3.根据权利要求1所述的衬底,其特征在于,所述粗化铜柱(1)作为衬底导电区发光芯

片电极(4)相连接,同一芯片(3)对应的两个相邻粗化铜柱间隔为0.2-0.4mm,不同芯片

对应但相邻的两个粗化铜柱间隔为1-1.5mm。

4.一种制备权利要求1所述用于微型LED器件的柔性聚酰亚胺衬底的方法,其特征

在于,包括如下步骤:

1)铜柱图案的制备:把铜柱及外围边框的黑色图案打印在透明胶片上,将铜板(5)的上

表面进行抛光和除油处理,贴合透明胶片及光致抗蚀薄膜,在固化紫外灯下照射10-

20s,然后把铜板浸入显影液中浸泡40-60s,洗涤,获得所需铜柱图案;

2)铜柱的成形及粗化:完成步骤1)的铜板浸泡在蚀刻溶液中蚀刻80-150min,洗涤,然

后再浸泡在粗化剂溶液中粗化30-70min,洗涤,最后浸泡在光致抗蚀薄膜的脱膜溶液

中60-120s,洗涤并晾干,获得粗化铜柱及铜板腔体(6);

3)聚酰亚胺的改性及固化:将二酐和二胺及改性材料加入到极性溶剂,并搅拌均匀后,

倒入步骤2)得到的铜板腔体(6)内直至与粗化铜柱等高,铜板放入恒温炉内保温2-3h

使聚酰亚胺固化,其中二酐与二胺的物质的量之比为1:1-1:2,二酐与改性材料的物质

的量之比为7:1-10:1,二酐与极性溶剂的质量体积比为0.5-3:10g/mL;

4)衬底的磨削及固晶:取出步骤3)得到的铜板(7),精磨上表面,在上表面完成芯片(3)

的固晶,然后在固定芯片(3)的前提下对铜板下底面磨削、精磨下底面,即得到所述用

于微型LED器件的柔性聚酰亚胺衬底。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤1)中所述洗涤为取出铜板并清

洗掉非黑色图案区域的光致抗蚀薄膜及显影液。

6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤1)中所述铜柱图案为矩形,外围

边框的宽度为10-20mm,外围边框的内边与相邻的铜柱图案相隔7-10mm;所述透明

胶片和光致抗蚀薄膜的厚度为100-150μm;所述固化紫外灯

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