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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN110098302A
(43)申请公布日2019.08.06
(21)申请号CN201910371453.8
(22)申请日2019.05.06
(71)申请人华南理工大学;华南理工大学珠海现代产业创新研究院
地址510640广东省广州市天河区五山路381号
(72)发明人汤勇李宗涛卢汉光宋存江饶龙石颜才满丁鑫锐
(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司
代理人何淑珍
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种用于微型LED器件的柔性聚
酰亚胺衬底及其制备方法
(57)摘要
本发明公开了一种用于微型LED
器件的柔性聚酰亚胺衬底及其制备方法。
所述衬底由粗化铜柱以及改性聚酰亚胺组
成。本发明的制备方法包括如下步骤:铜
柱图案的制备,铜柱的成形以及粗化,聚
酰亚胺的改性以及固化等。本发明的衬底
以聚酰亚胺为主体,利用其柔性抵抗外界
应力的冲击,可改善芯片及器件的力学性
能,避免芯片开裂问题;本发明提出的制
备方法,用铜柱粗化的方式,增加铜柱表
面粗糙度,利用聚酰亚胺固化前流动性强
的特点,提高铜电极与衬底主体材料的结
合强度,从而避免电极从衬底脱落的问
题。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种用于微型LED器件的柔性聚酰亚胺衬底,其特征在于,所述衬底由粗化铜柱(1)
和改性聚酰亚胺(2)组成;所述粗化铜柱(1)为方柱,侧面表面粗糙;所述改性聚酰亚胺(2)
与粗化铜柱(1)高度相同。
2.根据权利要求1所述的衬底,其特征在于,所述粗化铜柱(1)的长度为1-1.3mm,宽度
为0.5-0.7mm,高度为0.3-0.5mm。
3.根据权利要求1所述的衬底,其特征在于,所述粗化铜柱(1)作为衬底导电区发光芯
片电极(4)相连接,同一芯片(3)对应的两个相邻粗化铜柱间隔为0.2-0.4mm,不同芯片
对应但相邻的两个粗化铜柱间隔为1-1.5mm。
4.一种制备权利要求1所述用于微型LED器件的柔性聚酰亚胺衬底的方法,其特征
在于,包括如下步骤:
1)铜柱图案的制备:把铜柱及外围边框的黑色图案打印在透明胶片上,将铜板(5)的上
表面进行抛光和除油处理,贴合透明胶片及光致抗蚀薄膜,在固化紫外灯下照射10-
20s,然后把铜板浸入显影液中浸泡40-60s,洗涤,获得所需铜柱图案;
2)铜柱的成形及粗化:完成步骤1)的铜板浸泡在蚀刻溶液中蚀刻80-150min,洗涤,然
后再浸泡在粗化剂溶液中粗化30-70min,洗涤,最后浸泡在光致抗蚀薄膜的脱膜溶液
中60-120s,洗涤并晾干,获得粗化铜柱及铜板腔体(6);
3)聚酰亚胺的改性及固化:将二酐和二胺及改性材料加入到极性溶剂,并搅拌均匀后,
倒入步骤2)得到的铜板腔体(6)内直至与粗化铜柱等高,铜板放入恒温炉内保温2-3h
使聚酰亚胺固化,其中二酐与二胺的物质的量之比为1:1-1:2,二酐与改性材料的物质
的量之比为7:1-10:1,二酐与极性溶剂的质量体积比为0.5-3:10g/mL;
4)衬底的磨削及固晶:取出步骤3)得到的铜板(7),精磨上表面,在上表面完成芯片(3)
的固晶,然后在固定芯片(3)的前提下对铜板下底面磨削、精磨下底面,即得到所述用
于微型LED器件的柔性聚酰亚胺衬底。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤1)中所述洗涤为取出铜板并清
洗掉非黑色图案区域的光致抗蚀薄膜及显影液。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤1)中所述铜柱图案为矩形,外围
边框的宽度为10-20mm,外围边框的内边与相邻的铜柱图案相隔7-10mm;所述透明
胶片和光致抗蚀薄膜的厚度为100-150μm;所述固化紫外灯
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