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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN1716763A
(43)申请公布日2006.01.04
(21)申请号CN200510075998.2
(22)申请日2005.06.07
(71)申请人三洋电机株式会社
地址日本国大阪府
(72)发明人日隈裕洋宫下博之
(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司
代理人李香兰
(51)Int.CI
H03F3/45
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
半导体集成电路和运算放大器电路
(57)摘要
本发明提供一种可以抑制备用模式
时产生的、由稳定性特性引起的MOS晶体
管的特性退化，避免电路特性的退化的运
算放大器电路。在运算放大器电路中，包
括：连接在差动MOS晶体管(M3、M4)的
反向栅极B与源极S之间的、连接用MOS
晶体管(M10、M11)；连接在电源电位
VDD与所述反向栅极B之间的偏压设定用
MOS晶体管(M12)。(M10)是备用信号STB
施加在栅极上的P沟道型MOS晶体管；
(M11)是反向备用信号STBB施加在栅极的
N沟道型MOS晶体管。另外，(M12)是反
向备用信号STBB施加在栅极的P沟道型
MOS晶体管。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
未缴年费专利权终止IPC(主分
类):H03F3/45专利
2022-06-07号:ZL2005100759982申请专利权的终止
日权公告
日
权利要求说明书
1、一种半导体集成电路，其特征在于，包括：
第一MOS晶体管；
第二MOS晶体管，其在平常工作时导通而向所述第一MOS晶体管供给来自第一
电位的偏流，在备用模式时截止；
开关电路，其在平常工作时，把所述第一MOS晶体管的反向栅极连接在其源极上，
而在备用模式时，根据所述第一MOS晶体管的稳定性特性，把抑制其晶体管特性
的时效的第二电位施加在所述反向栅极上。
2、根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述开关电路包括：
设在所述反向栅极与所述源极之间的第一开关元件；和
设在所述反向栅极与所述第一电位之间的第二开关元件。
3、根据权利要求2所述的半导体集成电路，其特征在于，所述第一开关元件和所
述第二开关元件根据备用信号而进行切换。
4、根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，所述第一电位和第二电
位是电源电位。
5、一种运算放大器电路，其特征在于，包括：
反向栅极相互连接的一对差动MOS晶体管；
偏压设定用MOS晶体管，其在平常工作时导通而向所述一对差动MOS晶体管供
给来自第一电位的偏流，在备用模式时截止；
开关电路，其在平常工作时，把所述一对差动MOS晶体管的反向栅极连接在各自
的源极上，而在备用模式时，根据所述一对差动MOS晶体管的稳定性特性，把抑
制其晶体管特性的时效的第二电位施加在所述反向栅极上。
6、根据权利要求5所述的运算放大器电路，其特征在于，
所述开关电路包括：
设在所述反向栅极与所述源极之间的第一开关元件；和
设在所述反向栅极与所述第一电位之间的第二开关元件。
7、根据权利要求6所述的运算放大器电路，其特征在于，所述第一开关元件和所
述第二开关元件根据备用信号而进行切换。
8、根据权利要求5所述的运算放大器电路，其特征在于，所述第一电位和第二电
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