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单元质检卷5
一、选择题(本题共12小题,共48分,每小题4分。在每小题给出的四个选项中,只有一项
是符合题目要求的。)
1.(2024·辽宁卷)下列符号表征或说法正确的是()
+2-
A.HS电离:HS2H+S
22
B.Na位于元素周期表p区
2-
C.CO空间结构:平面三角形
3
D.KOH电子式:
+-
解析:HS是二元弱酸,电离分步进行,其一级电离方程式为HSH+HS,A项错误;基
22
1
态Na原子的价电子排布式是3s,最终一个电子填充在s能级,位于元素周期表s区,B项
1
2-
错误;CO中心碳原子的价层电子对数为3+×(4+2-3×2)=3,故其空间结构为平面三
32
角形,C项正确;KOH是离子化合物,电子式为,D项错误。
答案:C
2.(2024·东莞中学松山湖学校月考)用价层电子对互斥理论预料HS和BF的空间构型,两
23
个结论都正确的是()
A.直线形;三角锥形B.V形;三角锥形
C.直线形;平面三角形D.V形;平面三角形
1
解析:HS中S的孤电子对数为×(6-2×1)=2,σ键电子对数为2,S的价层电子对数为
22
4,VSEPR模型为四面体型,去掉孤电子对,HS的空间构型为V形;BF中B的孤电子对数为
23
1
×(3-3×1)=0,σ键电子对数为3,B的价层电子对数为3,VSEPR模型为平面三角形,
2
由于B上没有孤电子对,BF的空间构型为平面三角形;答案选D。
3
答案:D
3.(2024·山东卷)AlN、GaN属于第三代半导体材料,二者成键结构与金刚石相像,晶体中
只存在N—Al、N—Ga。下列说法错误的是()
A.GaN的熔点高于AlN
B.晶体中全部化学键均为极性键
3
C.晶体中全部原子均实行sp杂化
D.晶体中全部原子的配位数均相同
解析:Al和Ga均为第ⅢA元素,N属于第ⅤA元素,AlN、GaN的成键结构与金刚石相像,则
均为共价晶体。AlN、GaN晶体中,N原子与其相邻的原子形成3个一般共价键和1个配位键。
因为AlN、GaN为结构相像的共价晶体,由于Al原子的半径小于Ga,N—Al的键长小于N—Ga
的,则N—Al的键能较大,键能越大则其对应的共价晶体的熔点越高,故GaN的熔点低于AlN,
A项错误;不同种元素的原子之间形成的共价键为极性键,故两种晶体中全部化学键均为极
性键,B项正确;金刚石中每个C原子形成4个共价键(即C原子的价层电子对数为4),C原
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