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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN103000379A
(43)申请公布日2013.03.27
(21)申请号CN201210395541.X
(22)申请日2012.10.18
(71)申请人中国科学院化学研究所;刘必前
地址100190北京市海淀区中关村北一街2号
(72)发明人吴杰胡潇文何敏王俊梅刘必前
(74)专利代理机构
代理人
(51)Int.CI
H01G9/004
H01G9/14
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种提高全固态电储能器件充电效
率的方法
(57)摘要
本发明涉及一种提高全固态电储能
器件充电效率的方法，其方法为在器件的
电极层和电荷存储层之间引入电荷充电缓
冲层，使器件形成正电极/正电荷充电缓冲
层/正电荷存储层/绝缘层/电子存储层/电子
充电缓冲层/负电极的结构。引入电荷充电
缓冲层后，可以降低电极层和电荷存储层
之间的界面势垒，提高了电荷的传输速
率，从而提高了器件的工作效率和稳定
性。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2021-10-01未缴年费专利权终止未缴年费专利权终止
2016-04-20授权授权
2013-04-24实质审查的生效实质审查的生效
2013-03-27公开公开
权利要求说明书
1.一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，其特征在于其方法是在器
件的电极层和电荷存储层之间引入电荷充电缓冲层，使器件形成正电极/正
电荷充缓冲层/正电荷存储层/绝缘层/电子存储层/电子充电缓冲层/
负电极的结构，其中，电荷充电缓冲层由缓冲材料单独成膜或者缓
冲材料与电荷存储材料复合成膜，其中，缓冲材料和电荷存储
材料复合的摩尔比为20∶80～80∶20。
2.根据权利要求1所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，所
述的电荷充电缓冲层的加工方法，为磁控溅射法，真空蒸镀法，化学气相沉
积(CVD)，原子层沉积(ALD)，等离子体增强化学气相沉积
(PECVD)，电子束真空沉积，离子束真空沉积，溶液旋涂法等中的一
种。
3.根据权利要求1所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，所
述的电荷充电缓冲层的厚度为5nm～100nm。
4.根据权利要求1所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，所
述的缓冲材料分为正电荷缓冲材料和电子缓冲材料。
5.根据权利要求1或4所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，
所述的正电荷缓冲材料为联苯胺类或酞菁铜(CuPc)及其衍生物或聚3，4-乙
撑二氧噻吩(PEDOT)聚苯乙烯磺酸盐(PSS)的混合物或金属氧化
物类中的一种或几种的混合物。
6.根据权利要求1或4所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，
所述的电子缓冲材料为金属化合物或者芴的共聚物及其聚电解质衍生物或者
噁二唑类有机分子或者喹啉环金属配合物中的一种或几种的混
合物。
7.根据权利要求5所述的一种提高全固态电储能
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