半导体材料制备与晶体生长技术研究 .pdfVIP

半导体材料制备与晶体生长技术研究

半导体材料是构成微电子器件的基础材料，如今，在电子工业中，半导体材料

有着广泛的应用。它被用作制作晶体管、集成电路、显示器、激光及光纤通信器件

等技术上的基础。而半导体材料的制备与晶体生长技术则是体现现代电子科学的精

华所在。本文将着重探讨半导体材料制备与晶体生长技术的相关内容。

半导体材料制备

半导体材料的制备主要有两种方法：第一种是石墨化工气相沉积，第二种是金

属有机气相沉积。

-1、石墨化工气相沉积

石墨化工气相沉积是通过在高温下，将气相中的气体分解成有机气体，然后再

将有机气体沉积到半导体晶片表面形成薄层。这种方法较为简单，可是要求实验条

件非常苛刻。

-2、金属有机气相沉积

金属有机气相沉积则是通过在高温下，使有机金属沸腾产生气体再沉积在半导

体晶片表面，这种方法制备的半导体材料质量优良，形状规整，互相连接也比较好。

但此种方法需要昂贵的金属源，一定的毒性和火爆性。

半导体材料的制备过程中，晶体生长技术也是不可缺少的一部分。

晶体生长技术

晶体生长技术是指在人工控制的条件下，在溶解物中形成单一相晶体。晶体生

长技术主要有单晶片生长法、平板绐极蒸发法和化学气相沉积法。

-1、单晶片生长法

单晶片生长法是指在特定的条件下，使同样方向上的颗粒先互相连接，再逐渐

地延伸出去。这种方法的优点在于制作出的晶体比较规整。但它的缺点是晶体规格

受到局限，严重地制约了单结晶片的尺寸和纯度。

-2、平板绐极蒸发法

平板绐极蒸发法是通过制作一个薄的单晶片蒸发器，将蒸发物蒸发在晶片的表

面上。这种方法可以制作出较大的晶体并且受制的规格也要好于单晶片生长法。

-3、化学气相沉积法

化学气相沉积法是指利用化学反应中产生的气体从气态溶质中形成电子学优异

的单晶片。它是目前半导体材料表面处理技术的主要方法之一。这种方法的优点是

制作出的晶体纯度高，且可选择的材料种类多。

总结

本文对半导体材料制备与晶体生长技术进行了较为详细的讲解。半导体材料是

微电子器件的基础，其制备与晶体生长技术是电子科学的核心技术。科学家们在这

些技术方面做了大量的努力，不断地改进着制备方法、完善着晶体生长技术。相信

随着电子工业的不断发展，半导体材料制备与晶体生长技术也将有着更加广阔的发

展前景。